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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于导波结构的宽带2-bits可重构智能表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120728250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510974833.6，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于导波结构的宽带2-bits可重构智能表面是由傅昊升;郭昊程;许红;全英汇设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于导波结构的宽带2-bits可重构智能表面在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于导波结构的宽带2‑bits可重构智能表面，该智能表面包括：波导结构和宽带2‑bits相移电路，波导结构和宽带2‑bits相移电路通过金属通孔连接；波导结构包括金属贴片、第一介质基板以及第二介质基板；第一介质基板与第二介质基板连接，且第一介质基板在第二介质基板的上方；金属贴片位于第一介质基板的顶部，且金属贴片的上表面刻蚀有U型槽，宽带2‑bits相移电路位于第二介质基板的底部；宽带2‑bits相移电路包括PIN二极管、微带传输线以及直流偏置电路；直流偏置电路和PIN二极管通过微带传输线连接，直流偏置电路用于控制PIN二极管的连接状态。本发明提供的宽带2‑bits可重构智能表面具有较宽的工作频带和高比特相位编码特性。

本发明授权一种基于导波结构的宽带2-bits可重构智能表面在权利要求书中公布了：1.一种基于导波结构的宽带2-bits可重构智能表面，其特征在于，包括：波导结构和宽带2-bits相移电路，所述波导结构和所述宽带2-bits相移电路通过金属通孔连接；所述波导结构用于接收入射空间电磁波，并将所述入射空间电磁波转换为入射导波，所述宽带2-bits相移电路通过所述金属通孔接收所述入射导波，并调整所述入射导波的相位，以及将调整后的入射导波返回至所述波导结构，以使得所述波导结构将调整后的入射导波转换为反射空间电磁波并反射输出； 所述波导结构包括金属贴片、第一介质基板以及第二介质基板； 所述第一介质基板与所述第二介质基板连接，且所述第一介质基板在所述第二介质基板的上方；所述金属贴片位于所述第一介质基板的顶部，且所述金属贴片的上表面刻蚀有U型槽，所述宽带2-bits相移电路位于所述第二介质基板的底部； 所述宽带2-bits相移电路包括PIN二极管、微带传输线以及直流偏置电路； 所述直流偏置电路和所述PIN二极管通过所述微带传输线连接，所述直流偏置电路用于控制所述PIN二极管的连接状态，以调整所述入射导波的相位； 所述宽带2-bits相移电路还包括电容，所述微带传输线包括匹配微带传输线和阻抗渐变微带传输线，所述匹配微带传输线通过所述电容连接所述阻抗渐变微带传输线； 所述金属通孔的第一端位于所述波导结构的U型槽的中心，所述金属通孔的第二端位于所述匹配微带传输线上，以使得所述匹配微带传输线为所述宽带2-bits相移电路的输入端； 所述阻抗渐变微带传输线用于调整所述宽带2-bits相移电路的带宽； 所述PIN二极管包括PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D2以及PIN二极管D4； 其中，所述PIN二极管D1和所述PIN二极管D2同向设置，所述PIN二极管D1的阴极通过所述匹配微带传输线连接所述直流偏置电路，所述PIN二极管D1的阳极通过所述匹配微带传输线连接所述PIN二极管D2的阳极，所述PIN二极管D2的阴极通过所述匹配微带传输线连接所述直流偏置电路； 所述PIN二极管D3和所述PIN二极管D4反向设置，所述PIN二极管D3的阴极连接所述阻抗渐变微带传输线，所述PIN二极管D3的阳极通过所述阻抗渐变微带传输线连接所述直流偏置电路，所述PIN二极管D4的阴极通过所述阻抗渐变微带传输线连接所述直流偏置电路，所述PIN二极管D4的阳极连接所述阻抗渐变微带传输线； 所述宽带2-bits相移电路还包括扇形开路枝节，所述扇形开路枝节的端点位于所述直流偏置电路上，用于遏制高频电流，所述扇形开路枝节的个数为3个。

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