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龙图腾网获悉深圳市同悦鑫科技有限公司申请的专利自适应直流输入接口电路及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120675398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511172491.2，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权自适应直流输入接口电路及其驱动方法是由谷立柱;赵英杰;李德川设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本自适应直流输入接口电路及其驱动方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种自适应直流输入接口电路及其驱动方法，所述电路包括电压比较模块、自适应保护模块以及电压参考模块；电压参考模块对目标直流电源进行稳压处理得到参考直流电源并传输至电压比较模块；电压比较模块对两类电源进行分压，得到待检测电压与参考电压并根据两者差异得到电压比较结果；自适应保护模块对目标直流电源进行极性检测得到电源极性检测结果；依据两类结果，若目标直流电源为正向极性且处于电压控制范围内，则自适应保护模块导通目标直流电源与后级电路的连接；若为正向极性且未处于电压控制范围内，则阻断相应连接；若为反向极性，则阻断相应连接。采用本方法能够实现直流输入接口在电源异常场景下的自适应识别与保护控制。

本发明授权自适应直流输入接口电路及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种自适应直流输入接口电路，其特征在于，所述电路包括电压比较模块、自适应保护模块以及电压参考模块； 待检测的目标直流电源分别连接于所述电压比较模块的第一输入端、所述自适应保护模块的输入端以及所述电压参考模块的输入端，所述电压比较模块的输出端连接于所述自适应保护模块的受控端，所述电压参考模块连接于所述电压比较模块的第二输入端，所述自适应保护模块的输出端连接于待供电的后级电路； 所述电压参考模块对所述目标直流电源进行稳压处理，得到参考直流电源并传输至所述电压比较模块； 所述电压比较模块对所述目标直流电源与所述参考直流电源分别进行分压处理，得到所述目标直流电源对应的待检测电压与所述参考直流电源对应的参考电压，根据所述待检测电压与所述参考电压之间的差异得到电压比较结果并传输至所述自适应保护模块； 所述自适应保护模块对所述目标直流电源进行极性检测，得到所述目标直流电源对应的电源极性检测结果； 若所述电源极性检测结果表示所述目标直流电源为正向极性，且所述电压比较结果表示所述目标直流电源的电压处于预设电压控制范围内，则所述自适应保护模块导通所述目标直流电源与所述后级电路之间的连接； 若所述电源极性检测结果表示所述目标直流电源为正向极性，且所述电压比较结果表示所述目标直流电源的电压未处于预设电压控制范围内，则所述自适应保护模块阻断所述目标直流电源与所述后级电路之间的连接； 若所述电源极性检测结果表示所述目标直流电源为反向极性，则所述自适应保护模块直接阻断所述目标直流电源与所述后级电路之间的连接； 其中，所述自适应保护模块表示用于根据所述电压比较模块输出的电压比较结果与自身检测到的电源极性检测结果，动态控制所述目标直流电源是否连接至所述后级电路的电源路径控制结构；所述自适应保护模块包括第一导通控制组件以及第二导通控制组件；所述第一导通控制组件的受控端连接于所述电压比较模块的输出端，所述第一导通控制组件的控制端连接于所述第二导通控制组件的受控端，所述第二导通控制组件的输入端连接于所述目标直流电源，所述第二导通控制组件的输出端连接于所述后级电路；所述第一导通控制组件表示用于根据所述电压比较结果控制所述第二导通控制组件开关状态的从属开关器件，所述第二导通控制组件表示用于直接控制所述目标直流电源与所述后级电路之间电气连接的主开关器件； 其中，所述第一导通控制组件包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一二极管以及第二二极管，所述第二导通控制组件包括第一P型MOS管以及第二P型MOS管；所述电压比较模块包括第一电压比较单元以及第二电压比较单元，所述第一电压比较单元包括第一电压比较器，所述第二电压比较单元包括第二电压比较器； 所述第一NPN型三极管的基极通过正向偏置的第一二极管连接于所述第一电压比较器的输出端，所述第一NPN型三极管的发射极接地，所述第一NPN型三极管的集电极连接于所述第二NPN型三极管的基极以及通过正向偏置的第二二极管连接于所述第二电压比较器的输出端，第二NPN型三极管的基极通过预设电阻接地，所述第二NPN型三极管的发射极接地，所述第二NPN型三极管的集电极通过预设电阻连接于所述第一P型MOS管的栅极； 所述第一P型MOS管的栅极还通过预设电阻连接于所述目标直流电源，所述第一P型MOS管的源极连接于所述目标直流电源，所述第一P型MOS管的漏极连接于所述第二P型MOS管的漏极，所述第二P型MOS管的栅极通过预设电阻接地，所述第二P型MOS管的源极连接于后级电路； 所述第二导通控制组件还包括反向偏置的第三二极管、第一电容、第十二电阻所组成的并联结构，所述并联结构的一端连接于所述第一P型MOS管的栅极，另一端分别连接于所述第一P型MOS管的源极与电路输入端子所接入的目标直流电源，以用于对所述第一P型MOS管的栅极提供拉高偏置功能； 所述第二导通控制组件还包括第十五电阻、第四电容、反向偏置的第四二极管所组成的并联结构，所述并联结构的一端连接于电路输出端子，另一端连接于所述第二P型MOS管的栅极以及通过预设电阻接地，以用于对所述第二P型MOS管的栅极提供拉高偏置功能； 在所述目标直流电源处于预设电压控制范围内时，所述第二NPN型三极管处于导通状态，以拉低所述第一P型MOS管的栅极电压，在所述目标直流电源为正向极性的情况下，使得所述第一P型MOS管因栅源电压小于相应阈值电压而处于导通状态，以升高所述第二P型MOS管的漏极电压与源极电压，使得所述第二P型MOS管因栅源电压小于相应阈值电压而处于导通状态，从而使得所述电路输入端子与所述电路输出端子依次通过所述第一P型MOS管与所述第二P型MOS管建立电气连接，实现导通所述目标直流电源与所述后级电路之间的连接； 在所述目标直流电源为反向极性的情况下，所述第一P型MOS管的源极电压被拉低，使得所述第一P型MOS管因栅源电压大于相应阈值电压而处于阻断状态，所述第二P型MOS管的源极电压被拉低，使得所述第二P型MOS管因栅源电压大于相应阈值电压而处于阻断状态，从而使得所述电路输入端子与所述电路输出端子之间的电气连接断开，实现阻断所述目标直流电源与所述后级电路之间的连接。

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