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龙图腾网获悉南京大学;西安应用光学研究所申请的专利基于复合介质栅光敏探测器的提高动态范围的读出电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511107660.4，技术领域涉及：H04N25/40；该发明授权基于复合介质栅光敏探测器的提高动态范围的读出电路是由李张南;潘亦凡;孔鹏;卜晓峰;刘鑫;余苏霖;闫锋设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于复合介质栅光敏探测器的提高动态范围的读出电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的提高动态范围的读出电路，属于集成电路领域。通过在读出电路中为复合介质栅光敏探测器像素设计溢出电子泄放电路，用于泄放复合介质栅光敏探测器收集区饱和后溢出的电子，从而提升等效满阱容量；并且设计了特殊的时序，在模拟域以及数字域对同一像素连续读出两次来提升等效满阱容量或降低读出噪声以提高动态范围，使得复合介质栅光敏探测器能够在天文观测、遥感监测等需要同时捕捉高亮和弱光目标的场景中获得较好的探测效果。

本发明授权基于复合介质栅光敏探测器的提高动态范围的读出电路在权利要求书中公布了：1.一种基于复合介质栅光敏探测器的提高动态范围的读出电路，其特征在于，所述电路包括复合介质栅光敏探测器像素、溢出电子泄放电路、钳位电路、开关S1、预充电电路、比较器、斜坡发生器、与门以及计数器； 其中，所述溢出电子泄放电路包括外挂电容Cext以及复位晶体管MRst，所述外挂电容Cext的正极与复合介质栅光敏探测器像素的漏端相连，负极连接一个负电压，负电压的电压值与复合介质栅光敏探测器像素衬底电压相同；复位晶体管MRst并联在外挂电容Cext的两端，其中复位晶体管MRst的漏端连接外挂电容Cext的正极，源端连接外挂电容Cext的负极，其栅端由外部提供一个复位电压VReset作为栅极电压； 所述预充电电路包括一个积分电容CINT和第二晶体管M2；所述钳位电路的第一晶体管M1的漏端与开关S1的一端相连，开关S1的另一端与积分电容CINT、第二晶体管M2的源端以及比较器的正向输入端相连；预充电电路中，第二晶体管M2的栅端与外部提供的预充电电压VPrecharge相连，漏端与外部电源VDD相连，源端与积分电容CINT的正极相连；积分电容CINT的负极接地。

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