广东台进半导体科技有限公司;东莞市台进精密科技有限公司黄美林获国家专利权
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龙图腾网获悉广东台进半导体科技有限公司;东莞市台进精密科技有限公司申请的专利一种强排气芯片的封装方法及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120581441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510810932.0,技术领域涉及:H10W95/00;该发明授权一种强排气芯片的封装方法及设备是由黄美林设计研发完成,并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种强排气芯片的封装方法及设备在说明书摘要公布了:本发明涉及到半导体封装技术领域,公开了一种强排气芯片的封装方法及设备,所述封装方法包括对芯片本体的表面进行薄膜沉积,对多孔陶瓷基板进行微加工形成安装凹槽和气流通道,基于预设粘合剂将预处理本体固定于安装凹槽,对导电层与导电通路进行引线键合,对电连接组件涂覆多层预设聚合物,基于预设填料对预封装组件进行增强填充,并对增强填充后的预封装组件进行表面平滑处理,得到强排气芯片;通过在预处理本体固定后,使用硅酮基胶点涂围堰结构并动态固化,围堰结构有效防止外部污染物的进入,引线键合与硅酮基胶的结合,使得电连接组件的导电性能得到优化,进一步确保了芯片在高效散热和气体排放过程中能够保持稳定的工作状态。
本发明授权一种强排气芯片的封装方法及设备在权利要求书中公布了:1.一种强排气芯片的封装方法,其特征在于,包括: 对芯片本体的表面进行薄膜沉积,由内而外依次形成隔离层和防护层,并对所述芯片本体的电极区域溅射导电层,得到预处理本体; 对多孔陶瓷基板进行微加工形成安装凹槽和气流通道,并对所述多孔陶瓷基板的表面和安装凹槽的内壁进行金属化处理形成导电通路; 基于预设粘合剂将所述预处理本体固定于所述安装凹槽,并检测固化程度,达到预设半固化程度时,环绕所述预处理本体点涂硅酮基胶形成围堰结构; 对所述导电层与所述导电通路进行引线键合,并在所述围堰结构内注入所述硅酮基胶,随后对所述硅酮基胶进行动态固化,得到电连接组件; 对所述电连接组件涂覆多层预设聚合物,得到预封装组件; 基于预设填料对所述预封装组件进行增强填充,并对增强填充后的预封装组件进行表面平滑处理,得到强排气芯片。
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