青岛佳恩半导体有限公司王丕龙获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510511043.4，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法是由王丕龙;杨玉珍;王新强;张凯设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法，属于芯片制造技术领域，本发明首先通过三维电场分布仿真优化电极间距与介电层参数，继而使用银烧结工艺实现芯片与散热基板的高效热连接，并设计多层场板结构分散高电场区域。随后施加高介电常数树脂层和低离子含量环氧模塑料进行绝缘和封装，再涂覆硅氧烷改性聚酰亚胺保护层。通过电场耐受性测试、高加速寿命测试和热循环试验验证可靠性，利用聚焦离子束技术形成微纳米沟道结构缓解局部高电场区域，最终基于深度学习框架的电场分布与可靠性预测模型评估器件性能与寿命，解决了氮化镓功率半导体器件在高电压工作环境下的可靠性问题。
本发明授权一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：对氮化镓芯片进行三维电场分布仿真，并基于仿真数据优化电极间距和介电层厚度；将氮化镓芯片一侧固定于散热基板上，形成热传导路径；采用多层场板结构设计氮化镓芯片表面电极；在氮化镓芯片与所述一侧相对的表面电极一侧与引线框架之间施加高介电常数树脂层；采用低离子含量环氧模塑料进行初级封装；对封装后氮化镓芯片进行电场耐受性测试；在氮化镓芯片外层涂覆硅氧烷改性聚酰亚胺绝缘涂层；进行高加速寿命测试和热循环试验；采用聚焦离子束技术在氮化镓芯片表面的高电场区域形成微纳米沟道结构，所述微纳米沟道结构深度为1至2μm，所述微纳米沟道结构宽度为0.5至1μm，所述微纳米沟道结构间距为5至10μm，构建局部电场缓冲区完成封装，并采用电场分布与可靠性预测模型计算封装的氮化镓芯片的预期使用寿命和失效概率曲线。
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