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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利超声换能器基板及超声换能器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117139120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311235635.5，技术领域涉及：B06B1/02；该发明授权超声换能器基板及超声换能器是由刘鑫华;舒适;刘文渠;徐传祥;于勇;岳阳;李翔;李少辉;贾苗苗设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本超声换能器基板及超声换能器在说明书摘要公布了：本申请示例性实施例公开一种超声换能器基板及超声换能器，涉及但不限于超声换能器技术领域。该超声换能器基板通过在位于第一电极层和振膜结构层之间的空腔内形成至少一个支撑柱，支撑柱可以对振膜结构层提供支撑，在后续工艺及使用时，降低振膜结构层向基底一侧移动空间，可以有效避免振膜结构层发生塌陷，同时，所述空腔具有第一高度，所述支撑柱具有第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，所述第一高度和所述第二高度是垂直于所述基底方向上的尺寸，如此使得振膜结构层仍具有空间发生振动，支撑柱的设置不会影响振膜结构层的正常工作，保证了超声换能器基板的振动性能。

本发明授权超声换能器基板及超声换能器在权利要求书中公布了：1.一种超声换能器基板，其特征在于，包括设置在基底上的第一电极层、设置在所述第一电极层远离所述基底一侧的振膜结构层以及设置在所述振膜结构层远离所述基底一侧的第二电极层，所述第一电极层和所述振膜结构层之间设置有空腔，所述空腔内设置有至少一个支撑柱，所述空腔具有第一高度，所述支撑柱具有第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，所述第一高度和所述第二高度是垂直于所述基底方向上的尺寸； 其中，所述至少一个支撑柱的形成方式包括： 在所述第一电极层上形成牺牲薄膜，通过图案化工艺形成牺牲层，所述牺牲层至少包括牺牲部和牺牲连接部； 在所述牺牲层上形成第一振膜层，所述第一振膜层上设置有至少一个第一过孔，所述第一过孔在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影没有交叠，所述第一过孔在所述基底上的正投影与所述第二电极在所述基底上的正投影没有交叠； 利用所述第一过孔，采用刻蚀工艺去除所述牺牲层，在所述第一电极层和所述第一振膜层之间形成未设置支撑柱的空腔； 在所述第一振膜层上涂覆支撑薄膜，以使支撑薄膜利用所述第一过孔的毛细作用进入所述未设置支撑柱的空腔； 通过图案化工艺对所述支撑薄膜进行图案化，形成缩膜前的至少一个支撑柱； 通过后烘工艺使所述缩膜前的至少一个支撑柱产生缩膜，形成所述至少一个支撑柱； 其中，所述第一过孔内填充有第二振膜层，所述第二振膜层还填充于所述空腔中所述第一过孔下方的空间中。

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