长鑫存储技术有限公司孙会娟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115828825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111095236.4，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权半导体结构的版图是由孙会娟;李智勋设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的版图在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构的版图，包括：列译码器，其中，列译码器包括第一P型晶体管区域、第二P型晶体管区域、第一N型晶体管区域、第二N型晶体管区域以及与非门区域；其中，第一P型晶体管区域位于第一N型晶体管区域上方，第二P型晶体管区域位于第一P型晶体管区域的上方，第二N型晶体管区域位于第二P型晶体管区域的上方；与非门区域与第一P型晶体管区域相邻，与非门区域还与第二P型晶体管区域相邻，通过将两个P型晶体管区域相邻布置，可以减少半导体结构的高度，将与非门区域设置于两个P型晶体管区域以及第一N型晶体管区域附近，进一步减少半导体结构的高度。
本发明授权半导体结构的版图在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的版图，其特征在于，包括：列译码器； 其中，所述列译码器包括第一P型晶体管区域、第二P型晶体管区域、第一N型晶体管区域、第二N型晶体管区域以及与非门区域； 其中，所述第一P型晶体管区域位于所述第一N型晶体管区域上方，所述第二P型晶体管区域位于所述第一P型晶体管区域的上方，所述第二N型晶体管区域位于所述第二P型晶体管区域的上方；所述与非门区域与所述第一P型晶体管区域相邻，所述与非门区域还与所述第二P型晶体管区域相邻，所述与非门区域还与所述第一N型晶体管区域相邻； 所述第一P型晶体管区域包括第一区域和第二区域，所述第二P型晶体管区域包括第三区域和第四区域； 其中，所述第一区域和所述第二区域左右对称布置，且所述第一区域内的P型晶体管的栅极延伸方向与所述第二区域内的P型晶体管的栅极延伸方向相同；所述第三区域和所述第四区域左右对称布置，且所述第三区域内的P型晶体管的栅极延伸方向与所述第四区域内的P型晶体管的栅极延伸方向相同。
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