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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111070235.4，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构是由刘志拯设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括：提供多个第一芯粒，第一芯粒中设置有硅通孔结构，多个第一芯粒垂直堆叠形成芯粒堆叠结构，部分硅通孔结构形成第一屏蔽结构，第一屏蔽结构设置在芯粒堆叠结构的边缘区域；形成第二屏蔽结构，沿芯粒堆叠结构的周向，第二屏蔽结构环绕芯粒堆叠结构，第二屏蔽结构覆盖芯粒堆叠结构中每个第一芯粒的侧壁。在本公开的半导体结构的形成方法中，在芯粒堆叠结构中形成第一屏蔽结构，在芯粒堆叠结构的周向边缘形成第二屏蔽结构，为半导体结构提供了良好的屏蔽效果。

本发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤： 提供多个第一芯粒，所述第一芯粒中设置有硅通孔结构，包括：提供初始芯粒；形成第一硅通孔结构，所述第一硅通孔结构设置在所述初始芯粒的中心区域，所述第一硅通孔结构由第一阻挡层和第一导电层形成；形成第二硅通孔结构，所述第二硅通孔结构围绕所述初始芯粒的中心区域设置在所述初始芯粒的边缘区域，所述第二硅通孔结构环绕所述第一硅通孔结构一圈或多圈，所述第二硅通孔结构由外向内依次包括第二阻挡层、第一屏蔽层以及第二导电层，其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的阻挡材料为钽或钽化物，所述第一屏蔽层的屏蔽材料为铝、钨、铝化物或钨化物中的一种或两种以上的混合，所述第一导电层和所述第二导电层的导电金属为铜或铜化物； 将多个所述第一芯粒垂直堆叠形成芯粒堆叠结构，至少由所述第二硅通孔结构形成第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构设置在所述芯粒堆叠结构的边缘区域； 形成第二屏蔽结构，沿所述芯粒堆叠结构的周向，所述第二屏蔽结构环绕所述芯粒堆叠结构，所述第二屏蔽结构覆盖所述芯粒堆叠结构中每个所述第一芯粒的侧壁。

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