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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构、三维存储器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211457101.2，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权半导体结构、三维存储器及制备方法是由孙中旺;苏睿;周文犀;夏志良设计研发完成，并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、三维存储器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构、三维存储器及各自的制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底，于半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿X方向划分的存储区及连接区，连接区至少包括第一连接分区及第二连接分区，对第一连接分区的叠层结构进行预设层级数的预设刻蚀，再对第一连接分区剩余的叠层结构进行同步刻蚀，对第二连接分区的叠层结构进行同步刻蚀，得到待形成台阶。本法发明采用预设刻蚀chop以及同步刻蚀trimandetch相结合的工艺，降低了器件制备的工艺难度减少了掩膜版数量，结合X方向及Y方向的刻蚀实现了需要台阶的制备，切断了Y方向上阶梯的连续性，改善了材料的应力和膨胀，提高了器件的稳定性。

本发明授权半导体结构、三维存储器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 叠层结构，包括若干层沿Z方向上堆叠的叠层材料单元，所述叠层结构包括沿X方向排布的存储区及连接区，且所述连接区包括沿所述X方向排布的多个连接分区；所述X方向与所述Z方向垂直； 所述连接分区的叠层结构包括在所述X方向和Y方向均呈阶梯状的第一阶梯结构及第二阶梯结构，所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构相邻设置且相邻位置处均为相应阶梯结构的最低台阶面，以使各台阶面构成若干个连续的不同级数的引出台阶，其中，所述第一阶梯结构的最低台阶面比所述第二阶梯结构的最低台阶面少至少一个层级，一个层级包括一个所述叠层材料单元，相邻级数的所述引出台阶之间相差S个所述层级，S为大于等于1的整数；所述Y方向与所述X方向和所述Z方向均垂直； 不同所述连接分区中的阶梯结构在所述X方向和所述Y方向所在平面的投影不重叠；所述多个连接分区中每个连接分区中各引出台阶的级数之和等于所述叠层材料单元的总层数；所述连接分区中的阶梯结构在沿所述Y方向的至少一侧设置有沿所述X方向延伸的连接辅助区，所述连接辅助区包括的层叠材料单元的数量为所述叠层材料单元的总层数，所述连接辅助区包括辅助阶梯结构，所述辅助阶梯结构切断了所述连接分区中的阶梯结构在Y方向上的连续性。

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