美光科技公司E·N·李获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器装置中的联合单层级单元验证获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115775581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211088688.4,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权存储器装置中的联合单层级单元验证是由E·N·李;T·O·伊瓦萨基设计研发完成,并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置中的联合单层级单元验证在说明书摘要公布了:本公开涉及存储器装置中的联合单层级单元验证。存储器装置中的控制逻辑识别存储器阵列的块中的存储器单元集,其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元。所述控制逻辑另外致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线;和对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压。
本发明授权存储器装置中的联合单层级单元验证在权利要求书中公布了:1.一种存储器装置,其包括: 存储器阵列;和 控制逻辑,其以可操作方式与所述存储器阵列耦合以执行包括以下操作的操作: 识别所述存储器阵列的块中的存储器单元集,其中所述存储器单元集包括在编程操作的编程阶段期间被编程并且与所述存储器阵列的选定字线相关联的两个或更多个存储器单元; 致使在所述编程操作的编程验证阶段期间将编程验证电压施加到所述选定字线; 对所述存储器单元集执行并行感测操作以确定所述存储器单元集中的每一存储器单元是否在所述编程操作的所述编程阶段期间被编程到至少所述编程验证电压;及 响应于确定所述存储器单元集中的每一存储器单元在所述编程操作的所述编程阶段期间不被编程到至少所述编程验证电压,使计数器的值递增,其中所述计数器的所述值表示所述存储器阵列的所述块是否已通过所述编程操作的所述编程验证阶段。
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