华灿光电(浙江)有限公司王政卫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利电极制作方法及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211465360.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权电极制作方法及发光二极管是由王政卫;冯岩;朱知音;王莉;汪国华;王江波;梅劲设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本电极制作方法及发光二极管在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电极制作方法及发光二极管，属于半导体器件技术领域。所述电极制作方法包括：制作第一电极；制作覆盖所述第一电极的DBR层；在所述DBR层上开设与所述第一电极连通的第一过孔；在所述第一过孔内填充填充材料；在所述填充材料上开设与所述第一电极连通的第二过孔，所述第二过孔的侧壁与所述第一电极的表面的夹角小于所述第一过孔的侧壁与所述第一电极的表面的夹角；制作覆盖所述DBR层和所述第二过孔的侧壁，且与所述第一电极连接的第二电极。
本发明授权电极制作方法及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种电极制作方法，其特征在于，所述电极制作方法包括： 制作第一电极； 制作覆盖所述第一电极的DBR层； 在所述DBR层上开设与所述第一电极连通的第一过孔； 在所述第一过孔内填充填充材料； 在所述填充材料上开设与所述第一电极连通的第二过孔，所述第二过孔的侧壁与所述第一电极的表面的夹角小于所述第一过孔的侧壁与所述第一电极的表面的夹角； 制作覆盖所述DBR层和所述第二过孔的侧壁，且与所述第一电极连接的第二电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励