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龙图腾网获悉北京航空航天大学宁波创新研究院申请的专利一种基于改进点积不变法的零磁装置矢量磁传感器误差校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115754868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211460930.6，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权一种基于改进点积不变法的零磁装置矢量磁传感器误差校正方法是由汤继强;李玉鹏;杨周强;吴浩廷;刘嘉文;王樱骏设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于改进点积不变法的零磁装置矢量磁传感器误差校正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于改进点积不变法的零磁装置矢量磁传感器误差校正方法。本发明主要针对在零磁装置中矢量磁传感器的校正，首先根据矢量磁传感器的误差来源，建立误差模型，再采用改进的点积不变法计算误差参数，从而校正矢量磁传感器。本发明利用磁屏蔽技术产生一个零磁环境，然后在零磁环境内部和外部加装两组三轴亥姆霍兹线圈生成两个磁场常矢量，代替了传统点积不变法校正矢量磁传感器中固定的地磁场常矢量和另一辅助常矢量，使得两个常矢量夹角选取灵活，同时避免了传统点积不变法中地磁干扰。本发明能避免传统矢量磁传感器校准方法拟合参数不足、校正过程移动矢量磁传感器带入人工误差、校准矢量选取较固定导致校准精度低等问题。

本发明授权一种基于改进点积不变法的零磁装置矢量磁传感器误差校正方法在权利要求书中公布了：1.一种基于改进点积不变法的零磁装置矢量磁传感器误差校正方法，其特征在于,包括以下步骤： 步骤一、建立矢量磁传感器误差参数模型； 步骤二、建立基于改进点积不变法的两个常矢量；包括： 通过磁屏蔽舱创造零磁环境，在磁屏蔽舱内部和外部放置磁屏蔽舱内三轴亥姆霍兹线圈和磁屏蔽舱外三轴亥姆霍兹线圈，通过向磁屏蔽舱外三轴亥姆霍兹线圈通入电流模拟地磁场矢量，在磁屏蔽舱内三轴亥姆霍兹线圈通入电流作为辅助常矢量； 在磁屏蔽舱外三轴亥姆霍兹线圈中通入三个电流，得到其在零磁环境中心产生的模拟地磁场矢量； 在磁屏蔽舱内三轴亥姆霍兹线圈中通入三个电流，得到在零磁环境中心产生一个用于改进点积不变法的辅助常矢量； 根据，做点积计算结果为常数，求出十二个误差参数； 步骤三、根据步骤一建立的误差模型和步骤二建立的两个常矢量完成矢量磁传感器误差校正； 误差校正包括如下步骤： Step1：设定步骤二建立的两个常矢量之间的角度； Step2：分别将设定的模拟地磁场常矢量和另一个辅助常矢量按磁场与电流关系式转变为电流后输入至磁屏蔽舱内三轴亥姆霍兹线圈和磁屏蔽舱外三轴亥姆霍兹线圈中； Step3：同时让模拟地磁场常矢量和另一个辅助常矢量绕零磁环境中心向竖直方向旋转30°，记录矢量磁传感器输出； Step4：重复Step3，完成绕磁场环境中心一周循环； Step5：将模拟地磁场常矢量和另一个辅助常矢量在水平方向绕过零磁环境中心点的竖直轴旋转； Step6：同时让模拟地磁场常矢量和另一个辅助常矢量绕零磁环境中心向竖直方向旋转30°，记录矢量磁传感器输出； Step7：重复Step6，完成绕磁场环境中心一周循环； Step8：重复Step5-7，完成模拟地磁场常矢量和另一个辅助常矢量绕过零磁环境中心点的竖直轴旋转； Step9：将前八步得到的数据代入进行拟合得到十二个误差参数，其中把辅助常矢量代入上式中的，把模拟地磁场常矢量带入上式中的；表示理想三轴磁场矩阵，表示矢量磁传感器输出矩阵，为一个已知的1×3矢量，利用加速度计提供，代表常数；上标T表示矩阵的转置； 通过上述Step1到Step9，求出十二个误差参数，完成矢量磁传感器的误差校正。

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