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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种芯片封装简化测试结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115753331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211335299.7，技术领域涉及：G01N3/02；该发明授权一种芯片封装简化测试结构及方法是由刘胜;何涛;王诗兆;张月馨;孙亚萌;苏婳设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片封装简化测试结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片封装简化测试结构及方法。其结构包括基板、芯片和位于两者之间的简化封装结构，简化封装结构为将由凸点互连结构和底部填充胶的封装结构简化为只有底部填充胶的封装结构，底部填充胶上设有预制裂纹，形成芯片封装简化测试结构。测试过程中，首先计算简化封装结构的临界应力强度因子，确定界面强度；然后根据温度循环可靠性测试的条件，将温度载荷测试等效计算得到机械力载荷的等效载荷，并对简化封装结构进行加载测试，结合仿真结果预测封装结构的寿命。本发明解决了现有技术中难以建立疲劳蠕变损伤寿命的失效准则、寿命预测和可靠性问题；能够有效地提高对微电子产品进行可靠性测试的效率，简化工作流程。

本发明授权一种芯片封装简化测试结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装简化测试方法，采用的芯片封装简化测试结构包括基板、芯片和位于两者之间的简化封装结构，所述简化封装结构为将由凸点互连结构和底部填充胶的原始封装结构简化为只有底部填充胶的测试封装结构，所述测试封装结构的底部填充胶上设有预制裂纹，形成芯片封装简化测试结构，所述预制裂纹的机械力载荷疲劳蠕变等效于原始封装结构的温度载荷疲劳蠕变；其特征在于，芯片封装简化测试方法包括如下步骤： 步骤1、将含有凸点互连结构的原始封装结构进行简化，采用填充胶填充替换原有的凸点互连结构，得到仅含有底部填充胶的简化封装结构； 步骤2、在底部填充胶与芯片之间的界面边缘处以及底部填充胶和基板之间的界面边缘处分别添加预制裂纹，并计算简化封装结构的临界应力强度因子，确定界面强度； 步骤3、根据温度循环可靠性测试的条件，将温度载荷测试等效计算得到机械力载荷的等效载荷； 步骤4、利用计算得到机械力载荷对简化封装结构进行加载测试，同时实时监测裂纹扩展及裂纹深度变化；并校准裂纹深度与挠度之间的关系，计算加载速度和裂纹扩展速率；通过加载速度和裂纹扩展速率预估封装结构的寿命。

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