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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115720672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180046206.6，技术领域涉及：G11C11/56；该发明授权提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法是由V·马克夫;A·柯多夫设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种用于对非易失性存储器单元进行编程的方法和设备，其中该非易失性存储器单元包括第一栅极。将该非易失性存储器单元编程到初始程序状态，该初始程序状态对应于达到或超过该非易失性存储器单元的该第一栅极的目标阈值电压。该目标阈值电压对应于目标读取电流。使用施加到该非易失性存储器单元的该第一栅极的读取电压在第一读取操作中读取该非易失性存储器单元以生成第一读取电流，该读取电压小于该目标阈值电压。响应于确定该第一读取电流大于该目标读取电流，使该非易失性存储器单元经受附加编程。

本发明授权提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 多个非易失性存储器单元，每个非易失性存储器单元包括第一栅极；和 控制器，所述控制器被配置为通过以下方式对所述多个非易失性存储器单元中的一个非易失性存储器单元进行编程： 将所述一个非易失性存储器单元编程到初始程序状态，所述初始程序状态对应于达到或超过所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的目标阈值电压，其中所述目标阈值电压对应于目标读取电流， 使用施加到所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的读取电压在第一读取操作中读取所述一个非易失性存储器单元以生成第一读取电流，所述读取电压小于所述目标阈值电压， 响应于确定所述第一读取电流大于所述目标读取电流，使所述一个非易失性存储器单元经受附加编程； 响应于确定在所述第一读取操作中所述第一读取电流不大于所述目标读取电流，使用施加到所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的读取电压在第二读取操作中读取所述一个非易失性存储器单元以生成第二读取电流，所述读取电压小于所述目标阈值电压，以及 响应于确定所述第二读取电流大于所述目标读取电流，使所述一个非易失性存储器单元经受附加编程。

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