日立安斯泰莫株式会社池田靖获国家专利权
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龙图腾网获悉日立安斯泰莫株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115702482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180040316.1，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由池田靖;高木佑辅;金子裕二朗;船户祥太设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置，其具备：半导体元件；以及第一导体及第二导体，其隔着Sn系焊料分别与所述半导体元件的第一面和第二面接合，在该半导体装置中，在所述第一导体和所述第二导体的与所述Sn系焊料相对的面、以及所述半导体元件的所述第一面和所述第二面上形成Ni系镀层，在所述Ni系镀层与所述Sn系焊料的界面上形成由Cu、Ni6Sn5构成的具有1.2～4.0μm的层厚的界面反应抑制层。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具备：半导体元件；第一导体，其隔着Sn-Cu系焊料与所述半导体元件的第一面接合；以及第二导体，其隔着Sn-Ag-Cu系焊料与所述半导体元件的第二面接合，所述半导体装置的特征在于， 在所述第一导体的与所述Sn-Cu系焊料相对的面、所述第二导体的与所述Sn-Ag-Cu系焊料相对的面、以及所述半导体元件的所述第一面及所述第二面上分别形成Ni系镀层，在所述Ni系镀层与所述Sn-Cu系焊料的界面、以及所述Ni系镀层与所述Sn-Ag-Cu系焊料的界面上分别形成由Cu、Ni6Sn5构成的具有1.2～4.0μm的层厚的界面反应抑制层， 所述第一导体是发射极侧的导体，所述第二导体是集电极侧的导体，发射极侧的焊料接合部比集电极侧的焊料接合部厚， 所述发射极侧的焊料接合部由所述发射极侧的导体与所述半导体元件的第一面之间的所述Sn-Cu系焊料和所述界面反应抑制层构成， 所述集电极侧的焊料接合部由所述集电极侧的导体与所述半导体元件的第二面之间的所述Sn-Ag-Cu系焊料和所述界面反应抑制层构成。
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