LPKF激光电子股份公司N.安布罗修斯获国家专利权
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龙图腾网获悉LPKF激光电子股份公司申请的专利用于在基材中开设凹部的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115697625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180037651.6,技术领域涉及:B23K26/53;该发明授权用于在基材中开设凹部的方法是由N.安布罗修斯;R.奥斯托尔特;D.邓克;M.多格;K.黑尔;A.M.沃格特设计研发完成,并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在基材中开设凹部的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种用于通过局部地降低材料厚度在基材2中开设作为凹处的凹部的方法。在此,通过激光射束的沿着射束轴线4的空间上的射束成型在基材2中产生改性部5,从而接着通过腐蚀性介质的作用产生凹部。为此沿着平行的射束轴线4将多个改性部5开设到基材2中,所述改性部在第一外表面6和基材2内的与对置于第一外表面6的第二外表面7间隔距离a的位置P之间具有延伸尺寸T。彼此相邻的改性部5以相应的射束轴线4为参照具有侧向距离S,该侧向距离设计为与基材2中的长度或者深度成反比,以便由此产生凹部的几乎平坦的表面。
本发明授权用于在基材中开设凹部的方法在权利要求书中公布了:1.一种用于在基材2中开设至少一个凹部1或者用于降低所述基材2的材料厚度3的方法,在所述方法中,激光射束的焦点沿着所述激光射束的射束轴线4进行空间上的射束成型,并且在所述方法中,借助激光射束沿着所述射束轴线4在所述基材2中产生缺陷位置,而不会在此由于激光射束产生所述基材的材料去除,其中,一个或者多个缺陷位置在所述基材2中构成至少一个改性部5,从而接着由于腐蚀性介质的作用通过各向异性的材料去除在所述基材2中的改性部5的相应的区域中产生凹部和或材料薄弱部,其特征在于,沿着平行地相间隔的射束轴线4将多个改性部5开设到所述基材2中,所述改性部在第一外表面6和所述基材2内的与对置于所述第一外表面6的第二外表面7间隔距离a的位置P之间具有延伸尺寸T,使得每个改性部5从所述基材的外表面朝向所述基材的相对置的外表面的方向延伸直至所述基材2内的与相对置的外表面间隔距离a的位置P,其中,根据公式10dp1.15与蚀刻的凹部的直径d相关地确定改性部的间距p,其中,通过局部地减少所述基材2的材料厚度3将作为突伸部的凹部1开设到所述基材2中,方式是:由多个具有相同的射束轴线4的脉冲开设改性部5,在所述改性部5的区域中通过蚀刻去除产生搭接的凹部1,所述凹部在所述基材2中产生在凹部1的底部具有波度的突伸结构,其中,在所述凹部1的区域中留下的剩余厚度构成突伸结构。
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