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龙图腾网获悉力旺电子股份有限公司申请的专利运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115696925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210355290.6，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构是由郭瑞旻;廖弘毅;陈纬仁;孙文堂设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构在说明书摘要公布了：本发明为一种运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构。该阵列结构连接至源极线、字线、位线、反相位线、擦除线。根据本发明的实施例，在擦除操作ERS时，多次编程非易失性存储器不会将阵列结构中选定行上所有差动存储器胞的数据擦除。多次编程非易失性存储器仅将阵列结构中选定行上单一个选定存储器胞的数据擦除。

本发明授权运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种差动存储器胞阵列结构，包括：第一差动存储器胞与第二差动存储器胞，且该第一差动存储器胞包括： 第一选择晶体管，该第一选择晶体管的第一漏源端连接至第一源极线，该第一选择晶体管的栅极端连接至第一字线，该第一选择晶体管的体极端接收第一井区电压； 第一浮动栅晶体管，该第一浮动栅晶体管的第一漏源端连接至该第一选择晶体管的第二漏源端，该第一浮动栅晶体管的第二漏源端耦合至第一位线，该第一浮动栅晶体管的体极端接收该第一井区电压； 第一电容器，该第一电容器的第一端连接至该第一浮动栅晶体管的浮动栅极，该第一电容器的第二端连接至第一擦除线； 第二选择晶体管，该第二选择晶体管的第一漏源端连接至该第一源极线，该第二选择晶体管的栅极端连接至该第一字线，该第二选择晶体管的体极端接收该第一井区电压； 第二浮动栅晶体管，该第二浮动栅晶体管的第一漏源端连接至该第二选择晶体管的第二漏源端，该第二浮动栅晶体管的第二漏源端耦合至第一反相位线，该第二浮动栅晶体管的体极端接收该第一井区电压；以及 第二电容器，该第二电容器的第一端连接至该第二浮动栅晶体管的浮动栅极，该第二电容器的第二端连接至该第一擦除线； 其中，该第二差动存储器胞包括： 第三选择晶体管，该第三选择晶体管的第一漏源端连接至该第一源极线，该第三选择晶体管的栅极端连接至该第一字线，该第三选择晶体管的体极端接收该第一井区电压； 第三浮动栅晶体管，该第三浮动栅晶体管的第一漏源端连接至该第三选择晶体管的第二漏源端，该第三浮动栅晶体管的第二漏源端耦合至第二位线，该第三浮动栅晶体管的体极端接收该第一井区电压； 第三电容器，该第三电容器的第一端连接至该第三浮动栅晶体管的浮动栅极，该第三电容器的第二端连接至第二擦除线； 第四选择晶体管，该第四选择晶体管的第一漏源端连接至该第一源极线，该第四选择晶体管的栅极端连接至该第一字线，该第四选择晶体管的体极端接收该第一井区电压； 第四浮动栅晶体管，该第四浮动栅晶体管的第一漏源端连接至该第四选择晶体管的第二漏源端，该第四浮动栅晶体管的第二漏源端耦合至第二反相位线，该第四浮动栅晶体管的体极端接收该第一井区电压；以及 第四电容器，该第四电容器的第一端连接至该第四浮动栅晶体管的浮动栅极，该第四电容器的第二端连接至该第二擦除线。

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