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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利全彩LED微显示阵列结构、制备方法、全彩LED微显示器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211432366.7，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权全彩LED微显示阵列结构、制备方法、全彩LED微显示器是由陈一仁;张志伟;缪国庆;蒋红;宋航设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本全彩LED微显示阵列结构、制备方法、全彩LED微显示器在说明书摘要公布了：本发明属于半导体显示领域，具体提供一种全彩LED微显示阵列结构、制备方法以及全彩LED微显示器，包括垂直叠层的红、绿、蓝三基色LED像元组成，每个像元包括自下而上依次设置的衬底、第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、设置在第三发光单元之上的金属反射层和第三电极、设置在金属反射层之上SiO2绝缘层、设置于SiO2绝缘层之上连接第一发光单元的第一电极、设置于SiO2绝缘层之上连接第二发光单元的第二电极以及设置于SiO2绝缘层之上连接第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的第四电极，红光、绿光、蓝光均从所述衬底一侧出射。不仅提高蓝光、绿光LED的出光效率的同时避免了光的下转换过程发生，从而提高垂直叠层LED的显色指数。

本发明授权全彩LED微显示阵列结构、制备方法、全彩LED微显示器在权利要求书中公布了：1.一种全彩LED微显示阵列结构，其特征在于，包括垂直叠层的红、绿、蓝三基色LED像元组成，每个像元包括自下而上依次设置的衬底、产生蓝光的第一发光单元、产生绿光的第二发光单元、产生红光的第三发光单元、设置在所述第三发光单元之上的金属反射层和第三电极、设置在所述金属反射层之上SiO2绝缘层、设置于所述SiO2绝缘层之上连接所述第一发光单元的第一电极、设置于所述SiO2绝缘层之上连接所述第二发光单元的第二电极以及设置于SiO2绝缘层之上连接所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的第四电极，所述红光、所述绿光、所述蓝光均从所述衬底一侧出射； 所述第一发光单元包括自下而上依次设置的第一非故意掺杂GaN层、第一Si掺杂n-GaN层、蓝光多量子阱有源层、第一Mg掺杂组分渐变p-AlaGa1-aN电子阻挡层、第一Mg掺杂p-GaN层、设置于所述第一Mg掺杂p-GaN层上的第一分布布拉格反射镜层，所述第一非故意掺杂GaN层与所述衬底连接； 所述第二发光单元包括自下而上依次设置的第二非故意掺杂GaN层、第二Si掺杂n-GaN层、绿光多量子阱有源层、第二Mg掺杂组分渐变p-AlaGa1-aN电子阻挡层、第二Mg掺杂p-GaN层、设置于所述第二Mg掺杂p-GaN层上的第二分布布拉格反射镜层，还包括设置于SiO2绝缘层之上连接第二发光单元的第二电极和第四电极，所述第二非故意掺杂GaN层与所述第一分布布拉格反射镜层连接； 所述第三发光单元包括自下而上依次设置的第三非故意掺杂GaN层、第三Si掺杂n-GaN层、红光多量子阱有源层、第三Mg掺杂组分渐变p-AlaGa1-aN电子阻挡层、第三Mg掺杂p-GaN层，所述金属反射层与所述第三Mg掺杂p-GaN层连接； 所述第四电极设置在从所述第三Mg掺杂p-GaN层到所述第一Si掺杂n-GaN层的三级台阶过孔中，所述第一电极设置在从所述第三Mg掺杂p-GaN层到所述第一Mg掺杂p-GaN层的单级过孔中，所述第二电极设置在从所述第三Mg掺杂p-GaN层到所述第二Mg掺杂p-GaN层的单级过孔中；第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元堆叠成长方体，设置所述第四电极的三级台阶过孔位于所述长方体的第一条棱处，设置所述第一电极的单级过孔位于所述长方体的第二条棱处，设置所述第二电极的单级过孔位于所述长方体的第三条棱处； 所述第一电极从所述SiO2绝缘层表面向下连接到所述第一Mg掺杂p-GaN层，所述第二电极从所述SiO2绝缘层表面向下连接到所述第二Mg掺杂p-GaN层，所述第三电极直接连接所述第三Mg掺杂p-GaN层，所述第四电极从所述SiO2绝缘层表面向下依次连接第一Si掺杂n-GaN层、第二Si掺杂n-GaN层、第三Si掺杂n-GaN层； 所述第一分布布拉格反射镜层为AlN和GaN交替生长的超晶格，每个周期中AlN的厚度为50nm，GaN的厚度为46nm，生长周期数≥22.5，反射率大于90%的波长范围介于430nm和460nm之间； 所述第二分布布拉格反射镜层为AlN和GaN交替生长的超晶格，每个周期中AlN的厚度为58nm，GaN的厚度为55nm，生长周期数≥17.5，反射率大于90%的波长范围介于490nm和530nm之间。

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