厦门三安光电有限公司何敏游获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211355566.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管及其制备方法是由何敏游;刘小亮;王庆;洪灵愿;张中英设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管的制备方法包括提供一衬底，在衬底的表面上形成外延结构，外延结构包括依次形成在衬底的表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。自第二半导体层的表面向下依次刻蚀第二半导体层、有源层，以在外延结构的边缘暴露部分第一半导体层的上表面；在外延结构的边缘暴露的部分第一半导体层的上表面定义为子台面；蚀刻外延结构的边缘区域至衬底，以在衬底的表面形成切割道区。本发明由于在外延结构的边缘位置的不形成台面结构，避免了在外延结构边缘位置形成台面结构对发光面积的影响，提高了发光二极管的发光效率。
本发明授权一种发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底的上表面为图形化上表面，在所述衬底的上表面上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成在所述衬底的表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层； 自所述第二半导体层的表面向下依次刻蚀第二半导体层、有源层，以在所述外延结构的边缘暴露部分第一半导体层的上表面；在所述外延结构的边缘暴露的部分第一半导体层的上表面定义为子台面； 在同一刻蚀工艺中，同时刻蚀所述子台面、与所述子台面相靠近的部分所述外延结构至所述衬底，以在所述衬底的表面形成切割道区，其中，对应于形成在所述外延结构的边缘区域的子台面形成为第一切割道区，对应于靠近所述子台面的部分外延结构形成为第二切割道区，所述第一切割道区对应的衬底的厚度小于所述第二切割道区的衬底的厚度。
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