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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种高阻工艺中避免产生针孔的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211295302.7，技术领域涉及：H10W10/10；该发明授权一种高阻工艺中避免产生针孔的方法是由黄山设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高阻工艺中避免产生针孔的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高阻工艺中避免产生针孔的方法，提供Co层；在Co层上自下而上依次形成帽层、TiN层、硬掩膜层、氧化层、抗反射涂层以及光刻胶层；氧化层的厚度为50埃，并且形成氧化层的方法为原子层沉积法；氧化层的键能大于硬掩膜层的键能；打开光刻胶层将所述抗反射涂层暴露，形成凹槽；采用氯气沿凹槽刻蚀抗反射涂层，将氧化层的上表面暴露；氧化层以阻止氯气在刻蚀过程中通过结构疏松的所述硬掩膜层对TiN层腐蚀形成针孔；继续沿凹槽侧壁刻蚀暴露出的氧化层以及暴露出的氧化层下方的硬掩膜层，刻蚀至露出TiN层上表面为止；沿凹槽刻蚀露出的TiN层至露出帽层上表面为止，未被腐蚀的TiN层以阻止露出的帽层以及位于露出的帽层下的Co层中形成针孔。

本发明授权一种高阻工艺中避免产生针孔的方法在权利要求书中公布了：1.一种高阻工艺中避免产生针孔的方法，其特征在于，该方法至少包括： 步骤一、提供Co层；在所述Co层上自下而上依次形成帽层、TiN层、硬掩膜层、氧化层、抗反射涂层以及光刻胶层；所述氧化层的厚度为50埃，并且形成所述氧化层的方法为原子层沉积法；所述氧化层的键能大于所述硬掩膜层的键能； 步骤二、打开所述光刻胶层将所述抗反射涂层暴露，形成凹槽； 步骤三、采用氯气沿所述凹槽刻蚀所述抗反射涂层，将所述氧化层的上表面暴露；所述氧化层以阻止氯气在刻蚀过程中通过结构疏松的所述硬掩膜层对所述TiN层腐蚀形成针孔； 步骤四、继续沿所述凹槽侧壁刻蚀暴露出的所述氧化层以及暴露出的所述氧化层下方的所述硬掩膜层，刻蚀至露出所述TiN层上表面为止； 步骤五、沿所述凹槽刻蚀露出的所述TiN层至露出所述帽层上表面为止，步骤三中未被腐蚀的所述TiN层以阻止露出的所述帽层以及位于露出的所述帽层下的所述Co层中形成针孔。

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