长鑫存储技术有限公司吴双双获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110819890.9，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器是由吴双双设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器，半导体结构包括：基底；第一导电层，所述第一导电层的部分位于所述基底内，所述第一导电层的其余部分凸出于所述基底上方；阻挡层，所述阻挡层位于所述基底上，以及至少位于凸出于所述基底的所述第一导电层的侧壁；介质层，所述介质层位于所述阻挡层上；第二导电层，所述第二导电层贯穿所述介质层和所述阻挡层，所述第二导电层与所述阻挡层侧壁相接触，且所述第二导电层与所述第一导电层的至少部分上表面相接触，至少可以提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 第一导电层，所述第一导电层的部分位于所述基底内，所述第一导电层的其余部分凸出于所述基底上方； 阻挡层，所述阻挡层位于所述基底上，以及至少位于凸出于所述基底的所述第一导电层的侧壁； 介质层，所述介质层位于所述阻挡层上； 第二导电层，所述第二导电层贯穿所述介质层和所述阻挡层，所述第二导电层与所述阻挡层侧壁相接触，且所述第二导电层与所述第一导电层的整个上表面相接触。
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