长鑫存储技术有限公司张志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110811858.6，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由张志伟设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。本发明实施例用以解决相关技术中连接孔的连接层容易产生空隙的问题。具体包括：提供基底，基底上具有连接孔；连接孔的孔壁上具有沿平行于连接孔中心线方向交替设置的环状凸起和环状凹槽；在各环状凹槽内填充阻挡块；沿垂直于连接孔孔壁的方向，去除环状凸起；去除阻挡块；在连接孔内形成连接层。去除环状凸起以后的连接孔的孔壁粗糙度降低，防止导电种子层出现断层，从而避免连接层中产生空隙，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有连接孔；所述连接孔的孔壁上具有沿平行于所述连接孔中心线方向交替设置的环状凸起和环状凹槽； 在各所述环状凹槽内填充阻挡块； 沿垂直于所述连接孔孔壁的方向，去除所述环状凸起； 去除所述阻挡块； 在所述连接孔内形成连接层； 其中，在各所述环状凹槽内填充阻挡块包括： 在所述连接孔内填充阻挡材料，所述阻挡材料填充满所述连接孔； 去除部分所述阻挡材料以形成通孔，所述通孔的中心线与所述连接孔的中心线共线，所述通孔的孔壁与所述环状凸起接合。
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