华南师范大学陈洪宇获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于双栅调控的SnS2/MoSe2异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211232071.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种基于双栅调控的SnS2/MoSe2异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法和应用是由陈洪宇;柴泽宾;宿世臣设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双栅调控的SnS2/MoSe2异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种基于双栅调控的SnS2MoSe2异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法和应用。本发明属于多功能光电晶体管技术领域。本发明的目的是为了解决现有隧穿场效应晶体管热激发载流子受环境影响较大，使用寿命较短的技术问题。本发明的隧穿场效应晶体管以石墨烯纳米片层h‑BN纳米片层为顶栅，以SiO2Si为底栅，SnS2MoSe2为异质结。方法：先通过机械剥离法在底栅上获得SnS2、MoSe2、h‑BN、石墨烯纳米片；然后利用干法转移依次将MoSe2、h‑BN、石墨烯纳米片转移到SnS2纳米片上；再蒸镀金属粘结层Au电极层获得栅极、漏极和源极，退火后得到隧穿场效应晶体管。它应用于逻辑回路元器件领域。
本发明授权一种基于双栅调控的SnS2/MoSe2异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于双栅调控的SnS2MoSe2异质结隧穿场效应晶体管，其特征在于，该晶体管以石墨烯纳米片h-BN纳米片为顶栅，以SiO2Si为底栅，h-BN和SiO2之间为SnS2MoSe2异质结，异质结中SnS2纳米片和MoSe2纳米片部分重叠，重叠处为耗尽区。
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