长鑫存储技术有限公司庄凌艺获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110786040.3，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权封装结构及制备方法是由庄凌艺设计研发完成，并于2021-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种封装结构及制备方法，封装结构包括：半导体芯片；第一非导电层，覆盖半导体芯片的正面及半导体芯片的部分侧壁；第二非导电层，第二非导电层，位于第一非导电层的上表面，且至少覆盖第一非导电层的部分侧壁；其中，第一非导电层的熔体黏度大于第二非导电层的熔体黏度；基板；防焊层，位于基板的表面，防焊层内具有第一开口；半导体芯片倒装键合于基板上，第二非导电层远离第一非导电层的表面及防焊层远离基板的表面为键合面；第二非导电层无孔隙填满第一开口。位于具有低熔体黏度的第二非导电层将空气排出封装结构；具有高熔体黏度的第一非导电层第一非导电层拉住第二非导电层，抑制第二非导电层的溢出。
本发明授权封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 半导体芯片； 第一非导电层，覆盖所述半导体芯片的正面及所述半导体芯片的部分侧壁； 第二非导电层，位于所述第一非导电层的上表面，且至少覆盖所述第一非导电层的部分侧壁；其中，所述第一非导电层的熔体黏度大于所述第二非导电层的熔体黏度； 基板； 防焊层，位于所述基板的表面，所述防焊层内具有第一开口； 所述半导体芯片倒装键合于所述基板上，所述第二非导电层远离所述第一非导电层的表面及所述防焊层远离所述基板的表面为键合面；所述第二非导电层无孔隙填满所述第一开口； 其中，所述半导体芯片包括芯片主体、第一介质层、第二介质层及金属凸块；所述芯片主体、所述第一介质层及所述第二介质层依次层叠设置；所述第一非导电层位于所述第二介质层的表面；所述第一介质层的侧壁和所述第二介质层的侧壁被所述第一非导电层覆盖。
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