长鑫存储技术有限公司杨谦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法、半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211384832.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体结构的制作方法、半导体结构是由杨谦设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法、半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法、半导体结构。制作方法包括提供衬底；于衬底上形成栅极结构；在栅极结构的侧壁上形成隔离层；形成层间介质层于衬底上，层间介质层覆盖栅极结构和隔离层；形成通孔于层间介质层内，通孔暴露出部分隔离层；通过清洁溶液对通孔进行清洁处理，清洁溶液对层间介质层的腐蚀速率大于清洁溶液对暴露出的隔离层的腐蚀速率；在通孔内形成金属插塞。基于该半导体结构的制作方法制作的半导体结构，在形成金属插塞时，金属插塞不会与栅极结构接触，从而能够改善短路现象。此外，由于清洁溶液对隔离层的腐蚀速率较小，则通孔的宽度不会增加很大，从而在通孔内形成金属插塞时，不会金属内部形成空气间隙，从而提高了金属插塞的导电性能。
本发明授权一种半导体结构的制作方法、半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成栅极结构； 在所述栅极结构的侧壁上形成隔离层； 形成层间介质层于所述衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅极结构和所述隔离层； 形成通孔于所述层间介质层内，所述通孔暴露出部分所述隔离层； 通过清洁溶液对所述通孔进行清洁处理，所述清洁溶液对所述层间介质层的腐蚀速率大于所述清洁溶液对暴露出的所述隔离层的腐蚀速率； 在所述通孔内形成金属插塞； 其中，形成所述隔离层的步骤包括： 在所述栅极结构的侧壁上形成第一隔离层； 在所述第一隔离层的侧壁上形成第二隔离层； 在所述第二隔离层的侧壁上形成第三隔离层； 其中，所述第一隔离层的厚度大于所述第二隔离层的厚度，所述第三隔离层的厚度大于所述第一隔离层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励