长鑫存储技术有限公司庄凌艺获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110793761.7，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由庄凌艺设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上表面具有向第一晶圆内部延伸的空隙结构；提供第二晶圆，第二晶圆下表面具有绝缘层；以绝缘层及第一晶圆上表面为键合面将第二晶圆与第一晶圆键合，绝缘层密封空隙结构；在第二晶圆上表面制作器件；形成硅通孔结构，硅通孔结构的至少部分侧面被空隙结构包围。本发明能够利用已有的绝缘层密封所述空隙结构，从而保持空隙结构的设计图案，保证后续形成的硅通孔结构应力释放效果，增大硅通孔结构周围不受内应力影响区域的面积，以增加晶体管的排布数量，提高半导体结构的性能；另外，器件形成在绝缘层之上，能够大大减小寄生电容，提升时脉，减少器件的电流漏电流，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆，所述第一晶圆上表面具有向所述第一晶圆内部延伸的空隙结构； 提供第二晶圆，所述第二晶圆下表面具有绝缘层； 以所述绝缘层及所述第一晶圆上表面为键合面将所述第二晶圆与所述第一晶圆键合，所述绝缘层密封所述空隙结构； 在所述第二晶圆上表面制作器件； 形成硅通孔结构，所述硅通孔结构贯穿所述第二晶圆及所述第一晶圆，且所述硅通孔结构的至少部分侧面被所述空隙结构包围。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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