长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利辅助晶圆及其形成方法、半导体制程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602662B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776836.0，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权辅助晶圆及其形成方法、半导体制程是由郭帅设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本辅助晶圆及其形成方法、半导体制程在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种辅助晶圆及其形成方法、半导体制程，辅助晶圆包括：晶圆，所述晶圆内具有至少两个测试结构，每一所述测试结构的特征与对应的产品晶圆的所述特征相同，不同所述测试结构的至少一项所述特征不同，所述特征包括测试特征和非测试特征，至少两个所述测试结构的所述测试特征不同；每一所述测试结构包括依次排列的多个测试凹槽，所述测试特征包括多个所述测试凹槽的结构密度，所述结构密度包括开口宽度和垂直深度；每一所述产品晶圆包括依次排列的多个工艺凹槽，所述测试结构中多个所述测试凹槽的结构密度等于对应的所述产品晶圆中多个所述工艺凹槽的结构密度。本发明实施例有利于降低晶圆报废率和提高测试效率。
本发明授权辅助晶圆及其形成方法、半导体制程在权利要求书中公布了：1.一种辅助晶圆，其特征在于，包括： 晶圆，所述晶圆内具有至少两个测试结构，每一所述测试结构的特征与对应的产品晶圆的所述特征相同，不同所述测试结构的至少一项所述特征不同，所述特征包括测试特征和非测试特征，至少两个所述测试结构的所述测试特征不同； 每一所述测试结构包括依次排列的多个测试凹槽，所述测试特征包括多个所述测试凹槽的结构密度，所述结构密度包括开口宽度和垂直深度；每一所述产品晶圆包括依次排列的多个工艺凹槽，所述测试结构中多个所述测试凹槽的结构密度等于对应的所述产品晶圆中多个所述工艺凹槽的结构密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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