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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110767948.X，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王路广;王晓玲设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的介质层、以及贯穿所述介质层和所述衬底的通孔结构；刻蚀所述介质层，形成暴露所述通孔结构侧壁的凹槽，所述凹槽的内径沿所述衬底指向所述介质层的方向逐渐增大；填充导热材料于所述凹槽内，形成散热层。本发明一方面，有利于将所述通孔结构产生的热量向上传输，提升所述通孔结构的散热效率；另一方面，可以有效减少对衬底内部有源区面积的占用，并减少通孔结构对周围元器件的应力影响以及温度影响，从而改善半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底，所述衬底表面覆盖有介质层； 刻蚀所述介质层和所述衬底，形成贯穿所述介质层和所述衬底的通孔； 形成覆盖所述通孔内壁的第一扩散阻挡层； 形成填充满所述通孔并覆盖所述第一扩散阻挡层表面的导电柱，以形成包括所述通孔、所述第一扩散阻挡层和所述导电柱的通孔结构； 刻蚀所述通孔结构外周的所述介质层，形成环绕所述通孔结构外周以及暴露所述通孔结构侧壁的初始子凹槽； 执行至少一次如下循环步骤以形成暴露所述通孔结构侧壁且内径沿所述衬底指向所述介质层的方向逐渐增大的凹槽： 沿所述初始子凹槽向下刻蚀所述介质层，形成环绕所述通孔结构外周并暴露所述通孔结构侧壁的下一子凹槽，下一子凹槽的内径小于所述初始子凹槽的内径，并以所述初始子凹槽和形成的下一子凹槽共同作为下一次循环步骤的初始子凹槽，直至形成所述凹槽，所述凹槽包括沿垂直于所述衬底的表面的方向叠置且相互连通的多个子凹槽，且相邻的两个所述子凹槽中较靠近所述衬底的子凹槽的内径小于较远离所述衬底的子凹槽的内径； 填充导热材料于所述凹槽内，形成散热层。

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