长江存储科技有限责任公司张齐获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利介电结构、制备方法、以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211311095.X，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权介电结构、制备方法、以及半导体器件是由张齐;罗兴安;涂飞飞;王新胜;周毅;刘力挽;杨康设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本介电结构、制备方法、以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种介电结构、制备方法以及半导体器件。制备介电结构的方法包括：在基体中形成凹槽；在所述凹槽内形成填充层，其中，所述填充层将所述凹槽的至少部分空间填充；以及使所述填充层的体积收缩，释放所述凹槽被填充的空间中的至少部分空间。
本发明授权介电结构、制备方法、以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种介电结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在基体中形成凹槽； 在所述凹槽内形成填充层，其中，所述填充层将所述凹槽的至少部分空间填充，所述填充层包括可溶胀材料或收缩性材料；以及 使所述填充层的体积收缩，释放所述凹槽被填充的空间中的至少部分空间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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