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龙图腾网获悉宁波甬芯微电子科技有限公司申请的专利基于多阈值CMOS的三值D型触发器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115549650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211135862.6，技术领域涉及：H03K3/356；该发明授权基于多阈值CMOS的三值D型触发器是由韩立明设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多阈值CMOS的三值D型触发器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多阈值CMOS的三值D型触发器，包括反相器、三值或门、第一三值与门和第二三值与门，反相器包括1个PMOS管和1个NMOS管，第一三值与门和第二三值与门分别包括8个PMOS管和6个NMOS管，三值或门包括6个PMOS管和8个NMOS管，通过设定反相器、三值或门、第一三值与门和第二三值与门中PMOS管和NMOS管的宽长比设定阈值电压，反相器、三值或门、第一三值与门和第二三值与门连接后实现三值数据存储功能；优点是能够处理三值信号，当用于大规模数字集成电路系统中时，可以降低冗余信号的处理量，从而使大规模数字集成电路系统的处理速度提高，晶体管的使用量和芯片的面积减少，成本得到降低。

本发明授权基于多阈值CMOS的三值D型触发器在权利要求书中公布了：1.一种基于多阈值CMOS的三值D型触发器，其特征在于包括一个反相器、两个三值与门和一个三值或门，所述的反相器具有输入端和输出端，两个所述的三值与门和所述的三值或门分别具有第一输入端、第二输入端和输出端，将两个所述的三值与门分别称为第一三值与门和第二三值与门，所述的反相器的输入端和所述的第二三值与门的第一输入端连接且其连接端为所述的三值D型触发器的时钟端，用于接入时钟信号，所述的第二三值与门的第二输入端为所述的三值D型触发器的输入端，所述的反相器的输出端和所述的第一三值与门的第二输入端连接，所述的第一三值与门的第一输入端和所述的三值或门的输出端连接且其连接端为所述的三值D型触发器的输出端，所述的第一三值与门的输出端和所述的三值或门的第一输入端连接，所述的第二三值与门的输出端和所述的三值或门的第二输入端连接； 所述的反相器包括第一MOS管和第二MOS管，所述的第一MOS管为PMOS管，所述的第二MOS管为NMOS管，所述的第一MOS管的宽长比为355n60n，所述的第二MOS管的宽长比为120n60n，所述的第一MOS管的源极和衬底均接入电源，所述的第一MOS管的栅极和所述的第二MOS管的栅极连接且其连接端为所述的反相器的输入端，所述的第一MOS管的漏极和所述的第二MOS管的漏极连接且其连接端为所述的反相器的输出端，所述的第二MOS管的源极和衬底均接地； 每个所述的三值与门分别包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管，所述的第三MOS管、所述的第五MOS管、所述的第七MOS管、所述的第八MOS管、所述的第十MOS管和所述的第十二MOS管均为PMOS管，所述的第四MOS管、所述的第六MOS管、所述的第九MOS管、所述的第十一MOS管、所述的第十三MOS管、所述的第十四MOS管、所述的第十五MOS管和所述的第十六MOS管均为NMOS管，所述的第三MOS管的宽长比为355n60n，所述的第四MOS管的宽长比为120n60n，所述的第五MOS管的宽长比为200n60n，所述的第六MOS管的宽长比为200n60n，所述的第七MOS管的宽长比为200n60n，所述的第八MOS管的宽长比为355n60n，所述的第九MOS管的宽长比为120n60n，所述的第十MOS管的宽长比为200n60n，所述的第十一MOS管的宽长比为200n60n，所述的第十二MOS管的宽长比为355n60n，所述的第十三MOS管的宽长比为120n60n，所述的第十四MOS管的宽长比为200n60n，所述的第十五MOS管的宽长比为200n60n，所述的第十六MOS管的宽长比为200n60n，所述的第三MOS管的源极、所述的第三MOS管的衬底、所述的第五MOS管的源极、所述的第五MOS管的衬底、所述的第七MOS管的衬底、所述的第八MOS管的源极、所述的第八MOS管的衬底、所述的第十MOS管的衬底、所述的第十二MOS管的源极和所述的第十二MOS管的衬底均接入电源，所述的第三MOS管的栅极、所述的第四MOS管的栅极、所述的第五MOS管的栅极、所述的第六MOS管的栅极和所述的第十六MOS管的源极连接且其连接端为所述的三值与门的第二输入端，所述的第三MOS管的漏极、所述的第四MOS管的漏极和所述的第六MOS管的源极连接，所述的第四MOS管的源极、所述的第四MOS管的衬底和所述的第六MOS管的衬底均接地，所述的第五MOS管的漏极、所述的第六MOS管的漏极、所述的第七MOS管的栅极和所述的第十五MOS管的栅极连接，所述的第七MOS管的漏极、所述的第十四MOS管的漏极和所述的第十五MOS管的漏极连接且其连接端为所述的三值与门的输出端，所述的第八MOS管的栅极、所述的第九MOS管的栅极、所述的第七MOS管的源极、所述的第十MOS管的栅极和所述的第十一MOS管的栅极连接且其连接端为所述的三值与门的第一输入端，所述的第八MOS管的漏极、所述的第九MOS管的漏极和所述的第十MOS管的源极连接，所述的第九MOS管的源极、所述的第九MOS管的衬底、所述的十一MOS管的源极、所述的第十一MOS管的衬底、所述的第十三MOS管的源极、所述的第十三MOS管的衬底、所述的第十四MOS管的源极、所述的第十四MOS管的衬底、所述的第十五MOS管的衬底和所述的第十六MOS管的衬底均接地，所述的第十MOS管的漏极、所述的第十一MOS管的漏极、所述的第十二MOS管的栅极、所述的第十三MOS管的栅极和所述的第十四MOS管的栅极连接，所述的第十二MOS管的漏极、所述的第十三MOS管的漏极和所述的第十六MOS管的栅极连接，所述的第十五MOS管的源极和第十六MOS管的漏极连接； 所述的三值或门包括第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第二十二MOS管、第二十三MOS管、第二十四MOS管、第二十五MOS管、第二十六MOS管、第二十七MOS管、第二十八MOS管、第二十九MOS管和第三十MOS管，所述的第十七MOS管、所述的第十九MOS管、所述的第二十一MOS管、所述的第二十三MOS管、所述的第二十四MOS管、所述的第二十五MOS管、所述的第二十七MOS管和所述的第二十九MOS管均为PMOS管，所述的第十八MOS管、所述的第二十MOS管、所述的第二十二MOS管、所述的第二十六MOS管、所述的第二十八MOS管和所述的第三十MOS管均为NMOS管，所述的第十七MOS管的宽长比为355n60n，所述的第十八MOS管的宽长比为120n60n，所述的第十九MOS管的宽长比为200n60n，所述的第二十MOS管的宽长比为200n60n，所述的第二十一MOS管的宽长比为355n60n，所述的第二十二MOS管的宽长比为120n60n，所述的第二十三MOS管的宽长比为200n60n，所述的第二十四MOS管的宽长比为200n60n，所述的第二十五MOS管的宽长比为355n60n，所述的第二十六MOS管的宽长比为120n60n，所述的第二十七MOS管的宽长比为200n60n，所述的第二十八MOS管的宽长比为200n60n，所述的第二十九MOS管的宽长比为200n60n，所述的第三十MOS管的宽长比为200n60n，所述的第十七MOS管的源极、所述的第十七MOS管的衬底、所述的第十九MOS管的衬底、所述的第二十一MOS管的源极、所述的第二十一MOS管的衬底、所述的第二十三MOS管的源极、所述的第二十三MOS管的衬底、所述的第二十四MOS管的衬底、所述的第二十九MOS管的衬底、所述的第二十五MOS管的源极、所述的第二十五MOS管的衬底和所述的第二十七MOS管的衬底均接入电源，所述的第十七MOS管的栅极、所述的第十八MOS管的栅极、所述的第十九MOS管的源极和所述的第三十MOS管的源极连接且其连接端为所述的三值或门的第一输入端，所述的第十七MOS管的漏极、所述的第十八MOS管的漏极、所述的第十九MOS管的栅极和所述的第二十MOS管的栅极连接，所述的第十八MOS管的源极、所述的第十八MOS管的衬底、所述的第二十MOS管的源极、所述的第二十MOS管的衬底、所述的第二十二MOS管的源极和所述的第二十二MOS管的衬底均接地，所述的第十九MOS管的漏极、所述的第二十MOS管的漏极、所述的第二十一MOS管的栅极、所述的第二十二MOS管的栅极和所述的第二十四MOS管的栅极连接，所述的第二十一MOS管的漏极、所述的第二十二MOS管的漏极和所述的第二十三MOS管的栅极连接，所述的第二十三MOS管的漏极、所述的第二十九MOS管的漏极和所述的第三十MOS管的漏极连接且其连接端为所述的三值或门的输出端，所述的第二十四MOS管的源极、所述的第二十五MOS管的栅极、所述的第二十六MOS管的栅极、所述的第二十七MOS管的栅极和所述的第二十八MOS管的栅极连接且其连接端为所述的三值或门的第二输入端，所述的第二十四MOS管的漏极和所述的第二十九MOS管的源极连接，所述的第二十五MOS管的漏极、所述的第二十六MOS管的漏极和所述的第二十七MOS管的源极连接，所述的第二十六MOS管的源极、所述的第二十六MOS管的衬底、所述的第二十八MOS管的源极、所述的第二十八MOS管的衬底和所述的第三十MOS管的衬底均接地，所述的第二十七MOS管的漏极、所述的第二十八MOS管的漏极、所述的第二十九MOS管的栅极和所述的第三十MOS管的栅极连接。

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