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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利限幅器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115549620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211164178.0，技术领域涉及：H03G11/02；该发明授权限幅器电路是由戴若凡设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本限幅器电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种限幅器电路，包括多个依次串接的传输线，一端的传输线作为射频信号的输入端，另一端的传输线连接有放大器的输入端，放大器的输出端作为射频信号的输出端；依次连接于相邻传输线、放大器间的限幅器支路，每个限幅器支路均包括第一、二对称支路，每个限幅器支路中的第一、二对称支路在传输线的两侧呈对称分布，使得每个限幅器支路的寄生电容一致且分布均衡；偏置控制电路，其与每个限幅器支路中的第一、二对称支路连接，使得每个限幅器支路在尺寸相同下电流及密度均相同。本发明的限幅器电路改善了限幅器电路的插损以及有效功率耐受能力。

本发明授权限幅器电路在权利要求书中公布了：1.一种限幅器电路，其特征在于，包括： 多个依次串接的传输线，一端的所述传输线作为射频信号的输入端，另一端的所述传输线连接有放大器的输入端，所述放大器的输出端作为射频信号的输出端； 依次连接于相邻所述传输线、所述放大器间的限幅器支路，每个所述限幅器支路均包括第一、二对称支路，每个所述限幅器支路中的第一、二对称支路在所述传输线的两侧位置呈对称分布，使得每个所述限幅器支路的寄生电容的大小一致且分布位置均衡； 偏置控制电路，其与每个所述限幅器支路中的所述第一、二对称支路连接，使得每个所述限幅器支路的尺寸及电流均相同； 每个所述限幅器支路中的所述第一对称支路包括第一PMOS、第二PMOS、第一二极管、第一偏置电阻，所述第二对称支路包括第一NMOS、第二NMOS、第二二极管、第二偏置电阻，其中，所述第一偏置电阻的一端分别与所述第一、二PMOS的栅极连接，所述第二偏置电阻的一端分别与所述第一、二NMOS的栅极连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的正极连接，并连接于相邻的两所述传输线间或相邻的所述传输线与所述放大器间，所述第一PMOS的漏极与所述第一NMOS的漏极连接，所述第二PMOS的栅极与所述第一PMOS的栅极连接，并与所述第一二极管的正极连接，所述第二PMOS的漏极与所述第一PMOS的源极连接，所述第一NMOS的栅极与所述第二NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极与所述第二NMOS的漏极连接，所述第一PMOS的衬底电极与所述第二PMOS的衬底电极连接，所述第一NMOS的衬底电极与所述第二NMOS的衬底电极连接。

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