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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器装置及其操作方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115512750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211325245.2，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统是由王砚;郭晓江设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器装置及其操作方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，存储器装置包括：存储单元阵列以及与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括多个存储串；外围电路被配置为将耦接到第一字线的多个存储单元从初始状态同时编程到多个目标状态中的一个；将未选择的存储单元对应位线偏置到编程禁止电平，将选择的存储单元对应位线偏置到低电源电平；将第一字线从低电源电平提高到第一电压电平；在第一字线电平提高的过程中，将选择的存储单元对应位线上的电压从低电源电平提高到第二或第三电压电平，第三电压电平大于相应的选择晶体管的截止电平，第二电压电平介于低电源电平和第三电压电平之间；以及将编程脉冲施加到第一字线。

本发明授权存储器装置及其操作方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中， 所述存储单元阵列包括多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元耦接到相应的字线，每个存储串通过相应的选择晶体管耦接到相应的位线； 所述外围电路被配置为将耦接到第一字线的多个存储单元从初始状态同时编程到多个目标状态中的相应的一个目标状态； 将与沿所述第一字线的未选择的存储单元相对应的位线偏置到编程禁止电平，并且将与沿所述第一字线的选择的存储单元相对应的位线偏置到低电源电平； 将编程脉冲对应的编程电压施加在所述第一字线上，以将所述第一字线的电压从低电源电平提高到第一电压电平；其中，在所述第一字线电压从所述低电源电平提高到所述第一电压电平的过程中，所述外围电路还被配置为：当所述编程电压小于初始参考电压时，将与所述选择的存储单元相对应的位线上的电压偏置到所述低电源电平；当所述编程电压大于所述初始参考电压且小于验证电压时，将与所述选择的存储单元相对应的位线上的电压从所述低电源电平提高到第二电压电平；当所述编程电压大于所述验证电压时，将与所述选择的存储单元相对应的位线上的电压从所述低电源电平提高到第三电压电平；所述第二电压电平、第三电压电平的开始时刻均与所述选择的存储单元的目标状态相关，所述第三电压电平大于相应的选择晶体管的截止电平，所述第二电压电平介于所述低电源电平和所述第三电压电平之间；所述初始参考电压为所述选择的存储单元对应的多个目标状态中第Sn态的阈值电压分布的最大值；所述验证电压为所述选择的存储单元对应的多个目标状态中第Sn+1态的阈值电压分布的最小值；n为大于0的整数。

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