中国科学院半导体研究所王开友获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利条件概率比特电路、M-H采样方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115511087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211205486.3，技术领域涉及：G06N7/00；该发明授权条件概率比特电路、M-H采样方法、装置、设备及介质是由王开友;雷坤;兰修凯设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本条件概率比特电路、M-H采样方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种条件概率比特电路，应用于数据采样技术领域，包括：多个基本单元，每个该基本单元为一个概率比特单元，每个该概率比特单元包括第一晶体管、第二晶体管和自旋轨道矩磁隧道结，该第一晶体管、第二晶体管和自旋轨道矩磁隧道结之间通过多条电路连线连接，多个该概率比特单元的相同信号端之间通过同一该电路连线连接。本发明还提供了一种基于所述条件概率比特电路的Metropolis‑HastingM‑H采样方法、装置、设备及介质。
本发明授权条件概率比特电路、M-H采样方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种条件概率比特电路，其特征在于，包括：多个基本单元，每个所述基本单元为一个概率比特单元，每个所述概率比特单元包括第一晶体管、第二晶体管和自旋轨道矩磁隧道结，所述第一晶体管、第二晶体管和自旋轨道矩磁隧道结之间通过多条电路连线连接，多个所述概率比特单元的相同信号端之间通过同一所述电路连线连接； 在施加给所述自旋轨道矩磁隧道结的自旋轨道矩层的电流小于阈值I0时，施加所述电流后的所述自旋轨道矩磁隧道结的自由层的磁化状态为向下状态的概率取决于所述电流的大小和所述自由层的初始磁化状态，当所述电流大于等于所述阈值I0时，施加所述电流后所述自由层的磁化状态为向下状态的概率近似为0.5，与所述自由层的初始磁化状态无关。
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