纽富来科技股份有限公司木村骏生获国家专利权
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龙图腾网获悉纽富来科技股份有限公司申请的专利多带电粒子束描绘装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115480455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210661233.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权多带电粒子束描绘装置是由木村骏生;森田博文;东矢高尚;冈泽光弘设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本多带电粒子束描绘装置在说明书摘要公布了：本实施方式提供抑制试样面上的射束位置偏移的多带电粒子束描绘装置。本实施方式的带电粒子束描绘装置为一种多带电粒子束描绘装置，具备：消隐孔径阵列基板，设有多个消隐器，该多个消隐器进行构成多射束的多个带电粒子束各自的消隐偏转；以及第一屏蔽部件，配置于比所述消隐孔径阵列基板靠所述多射束的行进方向的下游侧，具有供所述多射束在内部穿过的圆筒部，由高磁导率材料构成。
本发明授权多带电粒子束描绘装置在权利要求书中公布了：1.一种多带电粒子束描绘装置，具备： 消隐孔径阵列基板，设有多个消隐器，该多个消隐器进行构成多射束的多个带电粒子束各自的消隐偏转；以及 第一屏蔽部件，配置于比所述消隐孔径阵列基板靠所述多射束的行进方向的下游侧，具有供所述多射束整体在内部穿过的一个圆筒部，由高磁导率材料构成， 所述第一屏蔽部件遮蔽由流经所述消隐孔径阵列基板的电流引起的磁场， 所述多带电粒子束描绘装置还具备平板状的第三屏蔽部件，该第三屏蔽部件配置于所述消隐孔径阵列基板与所述第一屏蔽部件之间，形成有供所述多射束穿过的圆形开口，由高磁导率材料构成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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