新郦璞科技(上海)有限公司张微成获国家专利权
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龙图腾网获悉新郦璞科技(上海)有限公司申请的专利高隔离度欠采样鉴相器以及欠采样锁相环获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115459765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211200085.9,技术领域涉及:H03L7/085;该发明授权高隔离度欠采样鉴相器以及欠采样锁相环是由张微成设计研发完成,并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高隔离度欠采样鉴相器以及欠采样锁相环在说明书摘要公布了:本发明提供了一种高隔离度欠采样鉴相器以及欠采样锁相环,包括:电荷采样器和时钟产生电路,所述电荷采样器包括两路主采样通路和两路dummy采样通路,两路主采样通路分别连接压控振荡器差分输出电压信号的VCON采集端和VCOP采集端,所述主采样通路输出端输出差分电压信号outp和outn,两路dummy采集通路分别连接VCON采集端和VCOP采集端,所述时钟产生模块与主采样通路和dummy采样通路连接,输出时钟控制信号使主采样通路和dummy采样通路交替采样振荡器差分输出电压信号。本发明提出的电荷采样型欠采样鉴相器可以用于实现低噪声低杂散高性能欠采样锁相环,并应用于诸多应用场景中。
本发明授权高隔离度欠采样鉴相器以及欠采样锁相环在权利要求书中公布了:1.一种高隔离度欠采样鉴相器,其特征在于,包括:电荷采样器和时钟产生电路,所述电荷采样器包括两路主采样通路和两路dummy采样通路,两路主采样通路分别连接压控振荡器差分输出电压信号的VCON采集端和VCOP采集端,所述主采样通路输出端输出差分电压信号outp和outn,两路dummy采集通路分别连接VCON采集端和VCOP采集端,所述时钟产生模块与主采样通路和dummy采样通路连接,输出时钟控制信号使主采样通路和dummy采样通路交替采样振荡器差分输出电压信号; 所述主采样通路包括MOS管M1,MOS管M2,MOS管M3以及电容Cs1,所述MOS管M1的栅极连接压控振荡器差分输出电压信号,所述MOS管M1的源极接地,所述MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极,所述MOS管M2的漏极连接MOS管M3的源极、电容Cs1的一端以及电压保持器,所述电容Cs1的另一端接地,所述MOS管M3的漏极连接VDD,所述MOS管M2的栅极与时钟产生电路连接,所述MOS管M3的栅极与时钟产生电路连接; 所述dummy采样通路包括MOS管M4、MOS管M5以及电容Cs2,所述MOS管M4的源极连接MOS管M1的漏极,所述MOS管M4的漏极连接MOS管M5的源极和电容Cs2的一端,所述电容Cs2的另一端接地,所述MOS管M5的漏极连接VDD,所述MOS管M5的栅极连接时钟产生电路,所述MOS管M4的栅极连接时钟产生电路,所述电容Cs1和电容Cs2容量相同。
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