买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211215868.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制备方法是由韩忠霖;陶永洪;张中华;江群弟设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括第一导电类型的衬底以及设置在衬底上的外延层；半导体器件还包括设在外延层中的多个半导体单元、多个栅极沟槽以及多个屏蔽层；多个半导体单元包括多个第一半导体单元和多个第二半导体单元，第二半导体单元周向上环绕设有多个第一半导体单元；第一半导体单元包括第二导电类型的体区、第二导电类型的体区接触区和第一导电类型的源极区；体区从外延层向衬底延伸；体区接触区与源极区从外延层的表面延伸至体区表面；第二半导体单元包括第二导电类型的屏蔽区；屏蔽区从外延层的表面向衬底延伸，屏蔽区与屏蔽层接触，以消除浮空状态下屏蔽层有空穴流出且无法回流的现象，保证器件的正常导通。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底以及设置在所述衬底上的外延层；所述半导体器件还包括：设置在所述外延层中的多个半导体单元、多个栅极沟槽以及多个屏蔽层；所述栅极沟槽设置在任意两个所述半导体单元之间，所述屏蔽层从所述栅极沟槽的底部向所述衬底延伸； 所述多个半导体单元包括：多个第一半导体单元和多个第二半导体单元，其中，所述第二半导体单元被配置为周向上环绕设置有多个所述第一半导体单元； 所述第一半导体单元包括：第二导电类型的体区、第二导电类型的体区接触区和第一导电类型的源极区；所述体区从所述外延层向所述衬底延伸；所述体区接触区与所述源极区从所述外延层的表面延伸至所述体区的表面； 所述第二半导体单元包括：第二导电类型的屏蔽区；所述屏蔽区从所述外延层的表面向所述衬底延伸，所述屏蔽区与所述屏蔽层相接触； 其中，多个所述半导体单元呈二维阵列排布；单数行或单数列包括多个间隔设置的所述第一半导体单元；偶数行或偶数列包括多个所述第一半导体单元和多个所述第二半导体单元，且所述第一半导体单元和所述第二半导体单元交替设置； 所述屏蔽层包括位于相邻两行所述半导体单元之间的第一掩蔽条和位于相邻两列所述半导体单元之间的第二掩蔽条；多个所述第一掩蔽条和多个所述第二掩蔽条交叉设置且相互连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410221 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。