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龙图腾网获悉闻泰通讯股份有限公司申请的专利芯片生长阵列、系统、方法、设备、介质、基板及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280002145.8，技术领域涉及：H10H29/80；该发明授权芯片生长阵列、系统、方法、设备、介质、基板及装置是由陈书志设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片生长阵列、系统、方法、设备、介质、基板及装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种芯片生长阵列、系统、方法、设备、介质、基板及装置。其中，该芯片生长阵列包括：衬底1以及位于所述衬底1上阵列排布的多个待转移芯片2；所述待转移芯片2包括第一电极21和第二电极22；所述第一电极21和或所述第二电极22围设形成挡墙结构，所述挡墙结构内设置有转移粘胶23。本公开实施例提供的技术方案，通过待转移芯片的第一电极和或第二电极围设形成挡墙结构，将转移黏胶设置在挡墙结构内，第一电极和第二电极上未设置转移黏胶，后续在进行芯片转移时无需设置去胶工艺就可以使得芯片上的电极裸露出来，因此这样的结构设计可以有效的降低芯片制备工艺的复杂度。

本发明授权芯片生长阵列、系统、方法、设备、介质、基板及装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片生长阵列，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上阵列排布的多个待转移芯片； 所述待转移芯片包括第一电极和第二电极； 所述第一电极和或所述第二电极围设形成挡墙结构，所述挡墙结构内设置有转移粘胶， 通过设置在所述挡墙结构内的转移粘胶实现衬底与转移基板之间的粘结固定，所述待转移芯片上的第一电极和第二电极上未设置转移粘胶； 所述挡墙结构的边缘设置有开口；所述开口的深度小于所述挡墙结构的厚度； 沿着垂直于所述转移粘胶在开口处流出的方向，所述开口的宽度大于等于1微米，且小于等于5微米；沿着所述转移粘胶在开口处流出的方向，所述开口的宽度等于所述挡墙结构的宽度； 所述开口包括相对设置的第一侧和第二侧； 所述第一侧为所述开口朝向所述转移粘胶的一侧，所述第二侧为所述开口背离所述转移粘胶的一侧；所述开口在所述第一侧的深度小于所述开口在所述第二侧的深度； 所述挡墙结构包括第一挡墙结构和第二挡墙结构；所述第一电极围设形成所述第一挡墙结构，所述第二电极围设形成所述第二挡墙结构；所述第一电极和所述第二电极同层设置； 所述第一挡墙结构背离所述衬底的表面与所述衬底之间的距离等于所述第二挡墙结构背离所述衬底的表面与所述衬底之间的距离相同； 所述第一挡墙结构位于所述第二挡墙结构外； 在垂直于所述衬底的方向上，所述第一挡墙结构的厚度等于所述第二挡墙结构的厚度； 所述第一电极以及所述第二电极与所述衬底之间设置有钝化层； 位于所述挡墙结构内的所述钝化层的厚度小于等于位于所述挡墙结构外的所述钝化层的厚度； 所述转移粘胶包括激光胶层。

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