美光科技公司S·桑卡拉纳拉亚南获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115437973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210634873.2，技术领域涉及：G06F12/0882；该发明授权多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取是由S·桑卡拉纳拉亚南;E·N·李设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取在说明书摘要公布了：本申请案是针对多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取。存储器装置包含第一存储器阵列、第二存储器阵列，及耦合到所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列的页高速缓存电路。所述页高速缓存电路包含至少一组并发资源及至少一个共享资源，其中所述至少一组并发资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列异步且并发地存取，且其中所述至少一个共享资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列以时分复用方式存取。
本发明授权多平面存储器装置中的并发页高速缓存资源存取在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 第一存储器阵列； 第二存储器阵列；及 页高速缓存电路，其包括位线偏压电路系统、感测放大器和多个寄存器，其中所述页高速缓存电路耦合到所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列，其中所述页高速缓存电路包括至少一组并发资源及至少一个共享资源，其中所述至少一组并发资源可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列并发地存取以分别执行相同类型或不同类型的存储器存取操作，且其中所述至少一个共享资源包括所述感测放大器且所述感测放大器可由所述第一存储器阵列及所述第二存储器阵列以时分复用方式存取。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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