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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种改进型折叠式共源共栅运算放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211011858.9，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种改进型折叠式共源共栅运算放大器是由张加宏;杨帆;邹循成;刘祖韬;王程;王泽林;华攀设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改进型折叠式共源共栅运算放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改进型折叠式共源共栅运算放大器，包括折叠式共源共栅运算放大器、自适应偏置电路、局部正反馈电路。在本发明中，利用自适应偏置电路在差分输入对上为大输入信号生成不受尾电流源限制的动态电流，提高了动态电流和增益；利用局部正反馈电路，将输入晶体管产生的电流以及自适应偏置电路中的电流转换为电压，来驱动空闲的折叠电流源晶体管，提高输入级的跨导，此外，该运放允许通过大的动态电流而不受静态电流的限制，显著提高了压摆率。

本发明授权一种改进型折叠式共源共栅运算放大器在权利要求书中公布了：1.一种改进型折叠式共源共栅运算放大器，用于对待处理信号进行放大，其特征在于：包括折叠式共源共栅运算放大器、自适应偏置电路、局部正反馈电路，待处理信号接入折叠式共源共栅运算放大器的输入晶体管，折叠式共源共栅运算放大器输出端输出待处理信号对应的放大信号，自适应偏置电路与折叠式共源共栅运算放大器的输入晶体管相连接，局部正反馈电路同时与折叠式共源共栅运算放大器、自适应偏置电路相连接；自适应偏置电路为折叠式共源共栅运算放大器提供自适应偏置电流；基于折叠式共源共栅运算放大器输入晶体管的电流、以及自适应偏置电路的电流，局部正反馈电路驱动折叠式共源共栅运算放大器中的折叠电流源晶体管，提升折叠式共源共栅运算放大器的增益和摆率；待处理信号经折叠式共源共栅运算放大器结合自适应偏置电路、局部正反馈电路对待处理信号进行放大，折叠式共源共栅运算放大器输出端输出待处理信号对应的放大信号； 待处理信号包括差分信号，所述折叠式共源共栅运算放大器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管，第一MOS管和第二MOS管作为折叠式共源共栅运算放大器的输入晶体管，第一MOS管和第二MOS管的源极和栅极接自适应偏置电路，第三MOS管和第四MOS管作为折叠式共源共栅运算放大器的折叠电流源晶体管，第三MOS管和第四MOS管的栅极接入局部正反馈电路，第一MOS管栅极接待处理信号的一端，第一MOS管漏极接第三MOS管的漏极，第二MOS管栅级接待处理信号的另一端，第二MOS管漏极接第四MOS管的漏极，第三MOS管的源级、第四MOS管的源级接GND，第五MOS管的栅极接预设偏置电压Vbn1，第五MOS管的漏极接第七MOS管的漏极，第五MOS管的源级接第一MOS管的漏极，第六MOS管的栅极接预设偏置电压Vbn1，第六MOS管的漏极与第八MOS管的漏极相连接，且相连接位置作为折叠式共源共栅运算放大器输出端输出待处理信号对应的放大信号，第六MOS管的源级接第二MOS管的漏极，第七MOS管的栅极接预设偏置电压Vbp1，第七MOS管的源级接第九MOS管的漏极，第八MOS管的栅极接预设偏置电压Vbp1，第八MOS管的源级接第十MOS管的漏极，第九MOS管的栅极分别接第十MOS管的栅极、第五MOS管的漏极，第九MOS管的源级、第十MOS管的源级接电源VDD，第一MOS管、第二MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管的衬底分别接电源VDD，第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的衬底分别接地GND。

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