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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211097989.3，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由彭志高;柴亚玲;顾子琨设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底；位于衬底表面的外延层；位于外延层的远离衬底一侧的栅氧层；位于栅氧层的远离衬底一侧的第一掺杂多晶硅层；位于第一掺杂多晶硅层的远离衬底一侧的第二掺杂多晶硅层；位于第二掺杂多晶硅层的远离衬底一侧的第三掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层中的掺杂元素包括磷，栅氧层中包括掺杂元素，掺杂元素包括磷；其中，第二掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度大于第三掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有生长多晶硅层的速率更快的效果。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 位于所述衬底表面的外延层； 位于所述外延层的远离所述衬底一侧的栅氧层； 位于所述栅氧层的远离所述衬底一侧的第一掺杂多晶硅层； 位于所述第一掺杂多晶硅层的远离衬底一侧的第二掺杂多晶硅层；位于所述第二掺杂多晶硅层的远离所述衬底一侧的第三掺杂多晶硅层； 所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层中的掺杂元素包括磷，所述栅氧层中包括掺杂元素，所述掺杂元素包括磷； 所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层以及所述第三掺杂多晶硅层由三层多晶硅层经退火后形成，所述三层多晶硅层中的第一层多晶硅层为形成在栅氧层上且由本征多晶硅层经离子注入掺杂后形成的掺杂多晶硅层，所述三层多晶硅层中的第二层多晶硅层为形成在所述第一层多晶硅层上的原位掺杂的多晶硅层，所述三层多晶硅层中的第三层多晶硅层为形成在所述第二层多晶硅层上的原位掺杂的多晶硅层； 其中，所述第二掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度大于所述第三掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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