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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211018439.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法是由李传皓;李忠辉;彭大青;杨乾坤;张东国设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高线性AlGaNGaN异质结的外延结构及外延方法，外延结构依序包括单晶衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN沟道层、第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层。此种技术方案利用金属有机物化学气相沉积MOCVD等外延技术，对GaN沟道层采用高温、低速率工艺，提升GaN沟道层结晶质量及表面形貌，有利于降低后续AlGaN沟道层、势垒层的缺陷密度；引入AlGaN沟道层结构，利用AlGaN沟道层GaN沟道层较小的导带阶，实现电子气在GaNAlGaN复合沟道层内的三维分布；引入极化调制掺杂的第一AlGaN势垒层结构，使电子气渗进势垒层，进一步展宽电子气的三维纵深；利用强极化的第二AlGaN势垒层，提升电子气面密度及跨导峰值；适用于高线性GaN射频器件的研制。

本发明授权一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法在权利要求书中公布了：1.一种高线性AlGaNGaN异质结的外延方法，其特征在于包括如下步骤： 步骤一，选取单晶衬底，置于MOCVD气相外延生长的设备内基座上； 步骤二，反应室升温至1000~1100℃，设定压力为50~150torr，在氢气氛围下烘烤衬底5~15min，去除衬底表面沾污； 步骤三，反应室升温至1100~1250℃，设定压力为30~150torr，通入氨气和铝源，生长30~200nm厚AlN成核层，关闭铝源； 步骤四，在氨气氛围中将温度降至930~1080℃，将压力升至150~500torr，通入镓源，并通过调整镓源流量使GaN生长速率达到1.3~3.0μmh，生长0.2~3.0μm厚GaN缓冲层，关闭镓源； 步骤五，在氨气氛围中将温度升至T，设定压力为150~500torr，通入镓源，并通过调整镓源流量使GaN生长速率达到V，生长0.05~0.5μm厚GaN沟道层，关闭镓源； 步骤六，在氨气氛围中设定温度为950~1100℃，设定压力为30~150torr，通入镓源和铝源，并通过调整镓源和铝源流量生长铝组分为x1、厚度为t1的Alx1Ga1-x1N沟道层； 步骤七，在氨气氛围中保持温度、压力不变，通过固定镓源流量并线性增加铝源流量，或者固定铝源流量并线性减小镓源流量，生长铝组分为x2、厚度为t2的第一Alx2Ga1-x2N势垒层，关闭镓源和铝源； 步骤八，在氨气氛围中保持温度、压力不变，通入镓源和铝源，并通过调整镓源和铝源流量生长Al组分为x3、厚度为t3的第二Alx3Ga1-x3N势垒层，关闭镓源和铝源； 步骤九，在氨气保护下降至室温，取出外延片。

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