南京理工大学胡艳获国家专利权
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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115329398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210452159.1，技术领域涉及：G06F21/79；该发明授权基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片是由胡艳;李启铭;宿佳鑫;沈瑞琪;叶迎华设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用多孔硅复合含能薄膜‑含能半导体桥双元结构的自毁芯片的结构装置，包括含能半导体桥、多孔硅复合含能薄膜毁伤区、功能芯片。其中含能半导体桥部分包括硅基底、SiO2绝缘层、重掺杂多晶硅半导体桥、金薄膜、复合含能薄膜。金薄膜作为引线连接恒压源和多晶硅点火桥，当通以适当电压时，重掺杂多晶硅半导体桥发生电爆激发上层复合含能膜；多孔硅复合含能薄膜毁伤区包括单晶硅片基底、金属桥箔、多孔硅复合含能薄膜。下层的含能半导体桥同上层的多孔硅复合含能薄膜同时发生作用，多孔硅复合含能薄膜使整个结构的能量进一步增大，达到可靠毁伤最上层功能芯片的目的。该装置结构简单，制备工艺方便，能够达到自毁功能芯片的作用。
本发明授权基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片，其特征在于，包括单晶硅片基底、SiO2绝缘层、重掺杂多晶硅半导体桥、金薄膜、复合含能薄膜、附着金属桥箔的多孔硅复合含能薄膜、单晶硅片基底、功能芯片；其中，附着金属桥箔的多孔硅复合含能薄膜、单晶硅片基底形成多孔硅复合含能薄膜毁伤区，使用环氧胶将多孔硅复合含能薄膜毁伤区与下层的含能半导体桥区进行键合；选择金丝键合的方式完成桥箔与控制电路的导线的互连；整体自毁芯片的结构使用机械固定进行键合；含能半导体桥区包括单晶硅片基底半导体桥的基底，起到承载和支撑作用、SiO2绝缘层作为介电层和掩蔽层，能够降低寄生电阻和减少热损失、重掺杂多晶硅半导体桥用于将经过金薄膜传输过来的电能，将电能转化为热能，发生电爆，继而将热量传递给上层的复合含能薄膜、金薄膜作为点火桥的引线，连接恒压源和半导体桥、复合含能薄膜。
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