江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864713.7，技术领域涉及：H10D62/824；该发明授权一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括：衬底；GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiNx插入层，所述GaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的GaN外延工艺层和SiNx插入层；AlGaN外延复合层，位于所述GaN外延复合层上，所述AlGaN外延复合层包括AlGaN外延工艺层和MgNy插入层，所述AlGaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的AlGaN外延工艺层和MgNy插入层；AlGaN外延层，位于所述AlGaN外延复合层上。采用上述结构可以实现GaN外延复合层和AlGaN外延复合层的晶体匹配，为AlGaN外延层提供高质量低应力的生长模板，能够获得低表面缺陷的高晶体质量AlGaN外延层。
本发明授权一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN外延结构，其特征在于，包括： 衬底； GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiNx插入层，所述GaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的GaN外延工艺层和SiNx插入层，交替层叠的所述GaN外延工艺层的总厚度不超过所述GaN外延复合层厚度的二分之一； AlGaN外延复合层，位于所述GaN外延复合层上，所述AlGaN外延复合层包括AlGaN外延工艺层和MgNy插入层，所述AlGaN外延复合层的至少一部分为交替层叠的AlGaN外延工艺层和MgNy插入层，交替层叠的所述AlGaN外延工艺层的总厚度不超过所述AlGaN外延复合层厚度的二分之一； AlGaN外延层，位于所述AlGaN外延复合层上。
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