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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利一种高阻衬底TSV接地的超结LDMOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110940172.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高阻衬底TSV接地的超结LDMOS器件及其制作方法是由莫海锋设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高阻衬底TSV接地的超结LDMOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高阻衬底TSV接地的超结LDMOS器件及其制作方法，所述超结LDMOS器件包括：高阻衬底，形成于高阻衬底中的体区和漂移区，形成于体区中的体区接触区和源区，形成于体区上方衬底表面的多晶硅栅极以及形成于漂移区中的漏区；漂移区包括在栅极宽度方向间隔设置的第一柱区和第二柱区形成的超结结构；其中，第一柱区与漏区之间设置有第一缓冲层，第二柱区与漏区之间设置有第二缓冲层，且第一缓冲层和第二缓冲层包围漏区设置。本发明的超级LDMOS器件可以有效抑制衬底辅助效应，并可以实现器件击穿电压和导通电阻的最优设计，同时可以降低器件的输出电容。

本发明授权一种高阻衬底TSV接地的超结LDMOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高阻衬底TSV接地的超结LDMOS器件，其特征在于包括： 高阻衬底，具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对设置； 形成于所述衬底第一表面上的多晶硅栅极； 形成于所述高阻衬底第一表面下的体区和漂移区； 形成于所述体区中的体区接触区和源区； 形成于所述漂移区中的漏区； 所述漂移区包括第一柱区和第二柱区，所述第一柱区与第二柱区在栅极的宽度方向间隔设置并形成超结结构；其中， 所述第一柱区与漏区之间设置有第一缓冲层，所述第二柱区与漏区之间设置有第二缓冲层，且所述第一缓冲层和第二缓冲层包围所述漏区设置，所述第一缓冲层的掺杂浓度介于第一柱区和漏区的掺杂浓度之间，所述第二缓冲层的掺杂浓度介于第二柱区和漏区的掺杂浓度之间，所述漏区、第一柱区和第一缓冲层为第一导电类型，所述第二柱区为第二导电类型，所述第二缓冲层为第一导电类型或第二导电类型，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述超结LDMOS器件为N型LDMOS器件，或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述超结LDMOS器件为P型LDMOS器件。

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