华虹半导体(无锡)有限公司陈天获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种低导通电阻双沟槽栅SOI-LDMOS版图结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210884794.7，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种低导通电阻双沟槽栅SOI-LDMOS版图结构及其形成方法是由陈天;阚博;肖莉;王黎;陈华伦设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通电阻双沟槽栅SOI-LDMOS版图结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低导通电阻双沟槽栅SOI‑LDMOS版图结构及其形成方法，所述结构至少包括SOI衬底和形成于所述SOI衬底的顶层硅中的多个阵列排列的六边形LDMOS单元。本发明通过六边形单元的拼接形成LDMOS功率模块，由于形成了两个沟槽栅，所以，模块中有两条纵向的导电沟道，可以使得电流导通电阻减小，器件电流密度增加，器件性能明显提升；六边环形沟槽栅使得电流通道也是6个方向的，比传统的条形栅器件电流处理能力提升一倍；六边形陈列分布的LDMOS单元可以使芯片面积利用达到最优，无面积浪费，明显优于传统的圆型阵列分布。
本发明授权一种低导通电阻双沟槽栅SOI-LDMOS版图结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻双沟槽栅SOI-LDMOS版图结构，其特征在于，所述结构至少包括SOI衬底和形成于所述SOI衬底的顶层硅中的多个阵列排列的六边形LDMOS单元，所述六边形LDMOS单元包括： 有源区，呈六边形； 第一沟槽氧化层，呈六边环形，形成于所述有源区中； 阱区，呈六边环形，形成于所述第一沟槽氧化层的外围，且所述阱区低于所述有源区表面； 第二沟槽氧化层，呈六边环形，形成于所述第一沟槽氧化层的外围且贯穿所述阱区； 第一栅极层，呈六边环形，形成于所述第一沟槽氧化层中； 第二栅极层，呈六边环形，形成于所述第二沟槽氧化层中； 漏掺杂区，呈六边形，形成于所述第一沟槽氧化层的环形包围区域； 源掺杂区，呈六边环形，形成于所述阱区上方； 体掺杂区，呈六边环形，形成于所述阱区上方的源掺杂区之中； 所述有源区、所述第一沟槽氧化层、所述阱区、所述第二沟槽氧化层、所述第一栅极层、所述第二栅极层、所述漏掺杂区、所述源掺杂区以及所述体掺杂区为同心结构，具有共同的对称轴。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励