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圣邦微电子(北京)股份有限公司张林获国家专利权

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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利欠压锁定电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115241842B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210876963.2,技术领域涉及:H02H3/24;该发明授权欠压锁定电路是由张林设计研发完成,并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

欠压锁定电路在说明书摘要公布了:本公开的实施例提供一种欠压锁定电路,其包括:电压采样电路、比较电路、以及迟滞控制电路。电压采样电路对待测电压进行采样,并经由第一节点将采样电压提供给比较电路。采样电压是采用至少两个晶体管对待测电压进行分压而获得的。比较电路将采样电压与来自参考电压端的参考电压进行比较,基于比较的结果生成欠压锁定指示信号。欠压锁定指示信号的有效电平用于指示使用待测电压的电路进入欠压锁定状态。迟滞控制电路在待测电压上升至第一预设电压值时使得欠压锁定指示信号从无效电平翻转为有效电平,以及在待测电压从第一预设电压值下降至第二预设电压值时使得欠压锁定指示信号从有效电平翻转为无效电平。第一预设电压值高于第二预设电压值。

本发明授权欠压锁定电路在权利要求书中公布了:1.一种欠压锁定电路,包括:电压采样电路、比较电路、以及迟滞控制电路, 其中,所述电压采样电路被配置为对来自待测电压端的待测电压进行采样,并经由第一节点将采样电压提供给所述比较电路,其中,所述采样电压是采用至少两个晶体管对所述待测电压进行分压而获得的; 所述比较电路被配置为将所述采样电压与来自参考电压端的参考电压进行比较,基于比较的结果生成欠压锁定指示信号,并从输出端输出所述欠压锁定指示信号,所述欠压锁定指示信号的有效电平用于指示使用所述待测电压的电路进入欠压锁定状态; 所述迟滞控制电路被配置为在所述待测电压上升至第一预设电压值时使得所述欠压锁定指示信号从无效电平翻转为所述有效电平,以及在所述待测电压从所述第一预设电压值下降至第二预设电压值时使得所述欠压锁定指示信号从所述有效电平翻转为所述无效电平,所述第一预设电压值高于所述第二预设电压值;所述迟滞控制电路包括:第六晶体管,其中,所述第六晶体管的控制极耦接所述输出端,所述第六晶体管的第一极耦接所述第一节点,所述第六晶体管的第二极耦接第二电压端; 所述欠压锁定电路还包括:偏置电压产生电路,偏置电压产生电路可从偏置电压端向比较电路提供偏置电压,其中,所述偏置电压产生电路包括:第十八晶体管至第三十一晶体管、以及电阻器, 其中,所述第十八晶体管的控制极耦接所述第二电压端,所述第十八晶体管的第一极耦接第三电压端,所述第十八晶体管的第二极耦接第十九晶体管的第一极; 所述第十九晶体管的控制极耦接所述第二电压端,所述第十九晶体管的第二极耦接第二十晶体管的第一极; 所述第二十晶体管的控制极耦接所述第二电压端,所述第二十晶体管的第二极耦接第二十一晶体管的第一极; 所述第二十一晶体管的控制极耦接所述第二电压端,所述第二十一晶体管的第二极耦接第二十二晶体管的控制极和第二十三晶体管的第二极; 所述第二十二晶体管的第一极耦接所述第二十三晶体管的第一极,所述第二十二晶体管的第二极耦接第二十五晶体管的控制极和第二极; 所述第二十三晶体管的控制极耦接第二十七晶体管的控制极和第三十一晶体管的控制极,所述第二十三晶体管的所述第一极耦接第二十四晶体管的第二极; 所述第二十四晶体管的控制极耦接所述待测电压端,所述第二十四晶体管的第一极耦接所述第二电压端; 所述第二十五晶体管的第一极耦接所述第三电压端; 第二十六晶体管的控制极和第二极耦接所述第二十七晶体管的第二极,所述第二十六晶体管的第一极耦接所述第二十五晶体管的所述第二极; 所述第二十七晶体管的第一极耦接所述电阻器的第一端; 所述电阻器的第二端耦接第二十八晶体管的第二极; 所述第二十八晶体管的控制极耦接所述待测电压端,所述第二十八晶体管的第一极耦接所述第二电压端; 第二十九晶体管的控制极耦接所述第二十五晶体管的控制极,所述第二十九晶体管的第一极耦接所述第三电压端,所述第二十九晶体管的第二极耦接第三十晶体管的控制极和第二极; 所述第三十晶体管的第一极耦接所述第三十一晶体管的控制极和第二极; 所述第三十一晶体管的控制极耦接所述偏置电压端,所述第三十一晶体管的第一极耦接所述第二电压端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人圣邦微电子(北京)股份有限公司,其通讯地址为:100089 北京市海淀区西三环北路87号11层4-1106;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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