贵州大学马奎获国家专利权
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龙图腾网获悉贵州大学申请的专利一种多层芯片堆叠的键合方法及多层芯片堆叠结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210896454.6，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权一种多层芯片堆叠的键合方法及多层芯片堆叠结构是由马奎;杨发顺;王硕;冉景杨;郭丰杰设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层芯片堆叠的键合方法及多层芯片堆叠结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多层芯片堆叠的键合方法及多层芯片堆叠结构，分别在芯片表面制备绝缘层、势垒层、金属种子层以及可光刻的绝缘键合胶，再通过光刻工艺分别在两层芯片的绝缘键合胶层上开出金属互连窗口，通过两层芯片上的绝缘键合胶的对准键合实现两层芯片堆叠结构，然后利用电镀铜工艺以及电镀填充的方式实现两层芯片的金属键合。电镀工艺以及电镀填充均可在室温环境中进行，避免了高温残余热应力。通过电镀工艺实现金属键合，形成一体化的金属连接结构，消除了金属‑金属键合界面，减少了上下两层键合界面原子所受的范德瓦耳斯力，减小了键合界面所受的剪切力和冯·米塞斯应力。
本发明授权一种多层芯片堆叠的键合方法及多层芯片堆叠结构在权利要求书中公布了：1.一种多层芯片堆叠的键合方法，其特征在于，包括： S1、在第一芯片和第二芯片的连接面分别依次制备绝缘层、势垒层以及金属种子层； S2、在第一芯片和第二芯片的种子层表面制备可光刻的绝缘键合胶层，并在绝缘键合胶层上通过光刻工艺开设用于金属互联的窗口； S3、基于绝缘键合胶的图形，通过绝缘键合胶的键合将第一芯片与第二芯片键合于一体，形成芯片堆叠结构； S4、在第一芯片的边沿金属种子层上连接电镀阴极，并在除了窗口的区域覆盖绝缘材料； S5、将芯片堆叠结构放置于电镀液中进行浸润，浸润后通过电镀工艺在芯片堆叠结构的窗口中填充金属材料，完成第一芯片与第二芯片的金属键合。
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