成都大学郭俊雄获国家专利权
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龙图腾网获悉成都大学申请的专利一种光神经单元装置、深度学习光神经网络的构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115238864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210851198.9，技术领域涉及：G06N3/067；该发明授权一种光神经单元装置、深度学习光神经网络的构建方法是由郭俊雄;蔡吉;林霖;李尚栋;陈建波;叶菁华设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光神经单元装置、深度学习光神经网络的构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光神经单元装置、深度学习光神经网络的构建方法，涉及神经网络技术领域，包括接触金属电极、图形化石墨烯阵列、介电层薄膜和衬底，所述图形化石墨烯阵列与形成在衬底上的介电层薄膜接触，所述接触金属电极与图形化石墨烯阵列接触并与衬底共同用于产生电场，调控装置输出光信号作为突触的输入权重，所述图形化石墨烯阵列包括石墨烯和红外光源波，所述石墨烯为单层石墨烯，所述图形化石墨烯阵列单元为周期条带状，本发明的有益效果为：与其他材料相比，图形化石墨烯由于载流子密度高且支持表面等离子激元的传播，提供了一个无可比拟的优势，即在室温下对中红外到太赫兹范围内的波长可通过用栅极电压进行原位动态调谐。
本发明授权一种光神经单元装置、深度学习光神经网络的构建方法在权利要求书中公布了：1.一种光神经单元装置，包括接触金属电极1、图形化石墨烯阵列2、介电层薄膜3和衬底4，其特征在于：所述图形化石墨烯阵列2与形成在衬底4上的介电层薄膜3接触，所述接触金属电极1与图形化石墨烯阵列2接触并与衬底4共同用于产生电场，调控装置输出光信号作为突触的输入权重； 所述图形化石墨烯阵列2包括石墨烯和红外光源波，所述石墨烯为单层石墨烯，所述图形化石墨烯阵列2单元为周期条带状，所述图形化石墨烯阵列2单元的周期宽度为400nm，所述石墨烯条带宽度为80nm、120nm、160nm、180nm、220nm和300nm，所述红外光源波长为5～50μm。
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