中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司安胜璟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110399463.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由安胜璟;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括电容器和支撑结构；所述电容器包括下电极、介质层和上电极，所述支撑结构在预设的高度上围绕所述下电极的外壁，所述电容器与所述支撑结构接触的部位设置有凸部；所述支撑结构包括依次设置的第一材料层、第二材料层和所述第一材料层，所述支撑结构与所述电容器接触的端面设置有凹部；所述凸部与所述凹部嵌合，以为所述电容器提供稳固的支撑。本发明公开的半导体器件及制造方法，用以解决现有技术中电容器容易发生倾斜、扭曲和倒塌等情况的技术问题。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括电容器和支撑结构； 所述电容器包括下电极、介质层和上电极，所述支撑结构在预设的高度上围绕所述下电极的外壁，所述电容器与所述支撑结构接触的部位设置有凸部； 所述支撑结构包括依次设置的第一材料层、第二材料层和所述第一材料层，所述支撑结构与所述电容器接触的端面设置有凹部，所述支撑结构的所述第一材料层为SiCN，所述第二材料层为SiBN，多个所述支撑结构分别设置于电容纵向的顶部位置、中部位置以及底部位置；所述凸部与所述凹部嵌合，以为所述电容器提供稳固的支撑。
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