山东光探芯半导体科技有限公司路顺茂获国家专利权
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龙图腾网获悉山东光探芯半导体科技有限公司申请的专利一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210874264.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器及其设计方法是由路顺茂;赵珍阳设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器及其设计方法，所述硅像素探测器包括正四棱柱状的硅基体，硅基体上底面刻蚀有正方形的中央阳极，硅基体下底面中间刻蚀正方形的中央阴极，中央阳极与中央阴极的中心重叠，中央阴极外侧设有二氧化硅基体；所述硅像素探测器上下收集阴极阳极类似于平行板电容器，可运用平行板电容器的计算方法，得出最佳的晶圆厚度，该结构全耗尽的电压更低，降低了芯片被偏压击穿的概率，降低了电极工艺难度，芯片成品率高，减少了外接电路工作量，降低了封装难度，其结构简单，易于芯片工艺制成和外接封装。
本发明授权一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种大面积高位置分辨率超纯高阻硅像素探测器，其特征在于，包括正四棱柱状的硅基体2，硅基体2上底面刻蚀有正方形的中央阳极1，硅基体2下底面中间刻蚀正方形的中央阴极3，中央阳极1与中央阴极3的中心重叠，中央阴极3外侧设有二氧化硅基体4； 所述中央阳极1的长宽高为150µm×150µm×20µm，中央阴极3的长宽高为80µm×80µm×20µm，中央阳极1与中央阴极3的垂直距离为260µm； 所述硅基体2为N型轻掺杂硅，中央阳极1为N型重掺杂硅，中央阴极3为P型重掺杂硅； 所述硅基体2的掺杂浓度为8×1011cm-3~1×1012cm-3，所述中央阳极1和中央阴极3的掺杂浓度均为8×1018cm-3~1×1019cm-3。
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